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Micron Document

<!DOCTYPE html>

<title>Halbleiter</title>

</head>

<h1 id="firstHeading" class="firstHeading mw-first-heading"><span class="mw-page-title-main">Halbleiter</span></h1>

</header>

</div>

<div id="mw-content-text" class="mw-body-content mw-content-ltr" lang="de" dir="ltr"><div class="mw-content-ltr mw-parser-output" lang="de" dir="ltr"><p><b>Halbleiter</b> sind <a href="Festk%C3%B6rper" title="Festkörper">Festkörper</a>, deren <a href="Elektrische_Leitf%C3%A4higkeit" title="Elektrische Leitfähigkeit">elektrische Leitfähigkeit</a> zwischen der von elektrischen <a href="Leiter_(Physik)" title="Leiter (Physik)">Leitern</a> (>10<sup>4</sup> <a href="Siemens_(Einheit)" title="Siemens (Einheit)">S</a>/cm) und der von <a href="Nichtleiter" title="Nichtleiter">Nichtleitern</a> (<10<sup>−8</sup> S/cm) liegt.<sup id="cite_ref-1" class="reference"><a href="#cite_note-1"><span class="cite-bracket">[</span>1<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Da sich die Grenzbereiche der drei Gruppen überschneiden, ist der negative <a href="Temperaturkoeffizient" title="Temperaturkoeffizient">Temperaturkoeffizient</a> des spezifischen Widerstandes ein weiteres wichtiges Merkmal von Halbleitern, das heißt, ihre Leitfähigkeit nimmt mit steigender Temperatur zu, sie sind sogenannte <a href="Hei%C3%9Fleiter" title="Heißleiter">Heißleiter</a>. Ursache hierfür ist die sogenannte <a href="Bandl%C3%BCcke" title="Bandlücke">Bandlücke</a> zwischen dem <a href="Valenzband" title="Valenzband">Valenz-</a> und dem <a href="Leitungsband" title="Leitungsband">Leitungsband</a>. Nah am absoluten <a href="Absoluter_Nullpunkt" title="Absoluter Nullpunkt">Temperaturnullpunkt</a> sind diese voll- bzw. unbesetzt, und Halbleiter daher Nichtleiter. Es existieren im Gegensatz zu <a href="Metalle" title="Metalle">Metallen</a> primär keine freien Ladungsträger, diese müssen erst z. B. durch Erwärmung entstehen. Die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern steigt aber steil mit der Temperatur an, so dass sie bei Raumtemperatur, je nach materialspezifischem Abstand von Leitungs- und Valenzband, mehr oder weniger leitend sind. Des Weiteren lassen sich durch das Einbringen von Fremdatomen (<a href="Dotierung" title="Dotierung">Dotieren</a>) aus einer anderen chemischen Hauptgruppe die Leitfähigkeit und der Leitungscharakter (Elektronen- und <a href="L%C3%B6cherleitung" title="Löcherleitung">Löcherleitung</a>) in weiten Grenzen gezielt beeinflussen.

</p><p>Halbleiter werden anhand ihrer <a href="Kristallstruktur" title="Kristallstruktur">Kristallstruktur</a> in <a href="Kristall" title="Kristall">kristalline</a> und <a href="Amorphe_Halbleiter" title="Amorphe Halbleiter">amorphe</a> Halbleiter unterschieden; siehe Abschnitt <a href="#Einteilung">Einteilung</a>. Des Weiteren können sie verschiedene chemische Strukturen besitzen. Am bekanntesten sind die <a href="Halbmetalle" title="Halbmetalle">Elementhalbleiter</a> <a href="Silicium" title="Silicium">Silicium</a> und <a href="Germanium" title="Germanium">Germanium</a>, die aus einem einzigen Element aufgebaut sind, und Verbindungshalbleiter wie der <a href="III-V-Verbindungshalbleiter" title="III-V-Verbindungshalbleiter">III-V-Verbindungshalbleiter</a> <a href="Galliumarsenid" title="Galliumarsenid">Galliumarsenid</a>. Zusätzlich haben in den letzten Jahrzehnten <a href="Organische_Halbleiter" title="Organische Halbleiter">organische Halbleiter</a> an Bedeutung und Bekanntheit gewonnen, sie werden beispielsweise in <a href="Organische_Leuchtdiode" title="Organische Leuchtdiode">organischen Leuchtdioden</a> (OLEDs) eingesetzt. Es gibt allerdings auch noch weitere Stoffe mit Halbleitereigenschaften, so z. B. <a href="Metallorganisch" class="mw-redirect" title="Metallorganisch">metallorganische</a> Halbleiter wie Materialien, die durch Nanostrukturierung Halbleitereigenschaften bekommen. Dazu zählen z. B. <a href="Chemische_Verbindung#Binäre,_ternäre_und_quaternäre_Verbindungen" title="Chemische Verbindung">ternäre Hydrid-Verbindungen</a> wie <a href="Lithium" title="Lithium">Lithium</a>-<a href="Barium" title="Barium">Barium</a>-<a href="Hydrid" class="mw-redirect" title="Hydrid">Hydrid</a> (LiBaH<sub>3</sub>).<sup id="cite_ref-2" class="reference"><a href="#cite_note-2"><span class="cite-bracket">[</span>2<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Bedeutung haben Halbleiter für die <a href="Elektrotechnik" title="Elektrotechnik">Elektrotechnik</a> und insbesondere für die <a href="Elektronik" title="Elektronik">Elektronik</a>, wobei die Möglichkeit, ihre elektrische Leitfähigkeit durch Dotierung zu beeinflussen, eine entscheidende Rolle spielt. Die Kombination unterschiedlich dotierter Bereiche, z. B. beim <a href="P-n-%C3%9Cbergang" title="P-n-Übergang">p-n-Übergang</a>, ermöglicht sowohl elektronische Bauelemente mit einer richtungsabhängigen Leitfähigkeit (<a href="Diode" title="Diode">Diode</a>, <a href="Gleichrichter" title="Gleichrichter">Gleichrichter</a>) oder einer Schalterfunktion (z. B. <a href="Transistor" title="Transistor">Transistor</a>, <a href="Thyristor" title="Thyristor">Thyristor</a>, <a href="Photodiode" title="Photodiode">Photodiode</a>), die z. B. durch Anlegen einer elektrischen Spannung oder eines Stroms gesteuert werden kann (vgl. Arbeitszustände in <a href="Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur" title="Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur">Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur</a>). Weitere Anwendungen neben dem Transistor sind: <a href="Hei%C3%9Fleiter" title="Heißleiter">Heißleiter</a>, <a href="Varistor" title="Varistor">Varistoren</a>, Strahlungssensoren (<a href="Photoleiter" class="mw-redirect" title="Photoleiter">Photoleiter</a>, <a href="Fotowiderstand" title="Fotowiderstand">Fotowiderstände</a>, Photodioden beziehungsweise <a href="Solarzelle" title="Solarzelle">Solarzellen</a>), <a href="Thermoelektrischer_Generator" title="Thermoelektrischer Generator">thermoelektrische Generatoren</a>, <a href="Peltierelement" class="mw-redirect" title="Peltierelement">Peltierelemente</a> sowie Strahlungs- beziehungsweise <a href="Lichtquelle" title="Lichtquelle">Lichtquellen</a> (<a href="Laserdiode" title="Laserdiode">Laserdiode</a>, <a href="Leuchtdiode" title="Leuchtdiode">Leuchtdiode</a>). Der Großteil aller gefertigten <a href="Halbleiterbauelement" class="mw-redirect" title="Halbleiterbauelement">Halbleiterbauelemente</a> ist <a href="Silicium" title="Silicium">siliciumbasiert</a>. Silicium hat zwar nicht die allerbesten elektrischen Eigenschaften (z. B. <a href="Ladungstr%C3%A4gerbeweglichkeit" class="mw-redirect" title="Ladungsträgerbeweglichkeit">Ladungsträgerbeweglichkeit</a>), besitzt aber in Kombination mit seinem chemisch stabilen <a href="Siliciumdioxid" title="Siliciumdioxid">Oxid</a> deutliche Vorteile in der Fertigung (siehe auch <a href="Thermische_Oxidation_von_Silizium" title="Thermische Oxidation von Silizium">thermische Oxidation von Silizium</a>).

</p>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Geschichte">Geschichte</h2></div>

<p><a href="Stephen_Gray_(Naturwissenschaftler)" title="Stephen Gray (Naturwissenschaftler)">Stephen Gray</a> entdeckte 1727 den Unterschied zwischen Leiter und Nichtleiter. Nachdem <a href="Georg_Simon_Ohm" title="Georg Simon Ohm">Georg Simon Ohm</a> 1821 das <a href="Ohmsches_Gesetz" title="Ohmsches Gesetz">Ohmsche Gesetz</a> aufstellte, womit die Proportionalität zwischen Strom und Spannung in einem elektrischen Leiter beschrieben wird, konnte auch die <a href="Elektrische_Leitf%C3%A4higkeit" title="Elektrische Leitfähigkeit">Leitfähigkeit</a> eines Gegenstandes bestimmt werden.

</p><p>Der <a href="Nobelpreis" title="Nobelpreis">Nobelpreisträger</a> <a href="Ferdinand_Braun" title="Ferdinand Braun">Ferdinand Braun</a> entdeckte den <a href="Gleichrichter" title="Gleichrichter">Gleichrichtereffekt</a> der Halbleiter 1874. Er schrieb: „Bei einer grossen Anzahl natürlicher und künstlicher Schwefelmetalle […] habe ich gefunden, dass der Widerstand derselben verschieden war mit Richtung, Intensität und Dauer des Stromes. Die Unterschiede betragen bis zu 30 pCt. des ganzen Werthes.“<sup id="cite_ref-Braun1874_3-0" class="reference"><a href="#cite_note-Braun1874-3"><span class="cite-bracket">[</span>3<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Er beschrieb damit erstmals, dass der Widerstand veränderlich sein kann.

</p><p><a href="Greenleaf_Whittier_Pickard" title="Greenleaf Whittier Pickard">Greenleaf Whittier Pickard</a> erhielt 1906 das erste Patent für eine auf <a href="Silicium" title="Silicium">Silicium</a> basierende <a href="Spitzendiode" title="Spitzendiode">Spitzendiode</a> zur <a href="Demodulation" title="Demodulation">Demodulation</a> des Trägersignals in einem <a href="Detektorempf%C3%A4nger" title="Detektorempfänger">Detektorempfänger</a>.<sup id="cite_ref-4" class="reference"><a href="#cite_note-4"><span class="cite-bracket">[</span>4<span class="cite-bracket">]</span></a></sup><sup id="cite_ref-5" class="reference"><a href="#cite_note-5"><span class="cite-bracket">[</span>5<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Anfangs wurde im gleichnamigen Empfänger („<span lang="en">Pickard Crystal Radio Kit</span>“) meistens <a href="Bleiglanz" class="mw-redirect" title="Bleiglanz">Bleiglanz</a> (Galenit) mit seinen Halbleiter-ähnlichen Eigenschaften verwendet,<sup id="cite_ref-6" class="reference"><a href="#cite_note-6"><span class="cite-bracket">[</span>6<span class="cite-bracket">]</span></a></sup><sup id="cite_ref-7" class="reference"><a href="#cite_note-7"><span class="cite-bracket">[</span>7<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> wobei in den 1920er Jahren robustere und leistungsfähigere Dioden auf Basis von Kupfersulfid-Kupfer-Kontakten entstanden. Die Funktionsweise des auf einem Halbleiter-Metall-Übergang basierenden Gleichrichtereffektes blieb trotz technischer Anwendung über Jahrzehnte ungeklärt. 1931 entwickelte <a href="Alan_Herries_Wilson" title="Alan Herries Wilson">Alan Herries Wilson</a> aus dem Bändermodell die theoretische Möglichkeit von Eigen- und Störstellenleitung.<sup id="cite_ref-8" class="reference"><a href="#cite_note-8"><span class="cite-bracket">[</span>8<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Erst <a href="Walter_Schottky" title="Walter Schottky">Walter Schottky</a> konnte 1939 die theoretischen Grundlagen zur Beschreibung der nach ihm benannten <a href="Schottky-Diode" title="Schottky-Diode">Schottky-Diode</a> legen.<sup id="cite_ref-9" class="reference"><a href="#cite_note-9"><span class="cite-bracket">[</span>9<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Das erste Patent zum Prinzip des Transistors wurde 1925 von <a href="Julius_Edgar_Lilienfeld" title="Julius Edgar Lilienfeld">Julius Edgar Lilienfeld</a> (US-Physiker österreichisch-ungarischer Abstammung) angemeldet.<sup id="cite_ref-10" class="reference"><a href="#cite_note-10"><span class="cite-bracket">[</span>10<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Lilienfeld beschrieb in seiner Arbeit ein elektronisches Bauelement, welches im weitesten Sinne mit heutigen <a href="Feldeffekttransistoren" class="mw-redirect" title="Feldeffekttransistoren">Feldeffekttransistoren</a> vergleichbar ist, ihm fehlten seinerzeit die notwendigen Technologien, Feldeffekttransistoren praktisch zu realisieren.<sup id="cite_ref-11" class="reference"><a href="#cite_note-11"><span class="cite-bracket">[</span>11<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Als 1947 in den <a href="Bell_Laboratories" title="Bell Laboratories">Bell Laboratories</a> die Wissenschaftler <a href="John_Bardeen" title="John Bardeen">John Bardeen</a>, <a href="William_Bradford_Shockley" title="William Bradford Shockley">William Bradford Shockley</a> und <a href="Walter_Houser_Brattain" title="Walter Houser Brattain">Walter Houser Brattain</a> zwei Metalldrahtspitzen auf ein Germaniumplättchen steckten und somit die p-leitende Zone mit der zweiten Drahtspitze mit einer elektrischen Spannung steuern konnten, realisierten sie damit den <a href="Spitzentransistor" title="Spitzentransistor">Spitzentransistor</a> (<a href="Bipolartransistor" title="Bipolartransistor">Bipolartransistor</a>). Dies brachte ihnen den Physik-<a href="Nobelpreis" title="Nobelpreis">Nobelpreis</a> von 1956 ein und begründete die Mikroelektronik.

</p><p>Die Herstellung von hochreinem <a href="Silicium" title="Silicium">Silicium</a> gelang 1954 <a href="Eberhard_Spenke" title="Eberhard Spenke">Eberhard Spenke</a> und seinem Team in der <a href="Siemens_%26_Halske" class="mw-redirect" title="Siemens & Halske">Siemens & Halske</a> AG mit dem <a href="Zonenschmelzverfahren" title="Zonenschmelzverfahren">Zonenschmelzverfahren</a>. Dies brachte Mitte der 1950er Jahre zusammen mit der Verfügbarkeit eines Isolationsmaterials (<a href="Siliciumdioxid" title="Siliciumdioxid">Siliciumdioxid</a>) mit günstigen Eigenschaften (nicht wasserlöslich wie <a href="Germanium(IV)-oxid" title="Germanium(IV)-oxid">Germaniumoxid</a>, einfach herstellbar usw.) den Durchbruch von Silicium als Halbleitermaterial für die Elektronikindustrie und etwa 30 Jahre später auch für die ersten Produkte der <a href="Mikrosystemtechnik" title="Mikrosystemtechnik">Mikrosystemtechnik</a>. Für die Herstellung von integrierten Schaltkreisen wird heute (2009) fast ausschließlich mit dem <a href="Czochralski-Verfahren" title="Czochralski-Verfahren">Czochralski-Verfahren</a> kostengünstiger hergestelltes Silicium verwendet.

</p><p><a href="Alan_Heeger" class="mw-redirect" title="Alan Heeger">Alan Heeger</a>, <a href="Alan_MacDiarmid" title="Alan MacDiarmid">Alan MacDiarmid</a> und <a href="Hideki_Shirakawa" title="Hideki Shirakawa">Hideki Shirakawa</a> zeigten 1976, dass bei einer Dotierung von <a href="Polyethin" title="Polyethin">Polyacetylen</a> – einem <a href="Polymer" title="Polymer">Polymer</a>, das im undotierten Zustand ein Isolator ist – mit Oxidationsmitteln der <a href="Spezifischer_Widerstand" title="Spezifischer Widerstand">spezifische elektrische Widerstand</a> bis auf 10<sup>−5</sup> Ω·m (<a href="Silber" title="Silber">Silber</a>: ≈ 10<sup>−8</sup> Ω·m) sinken kann. Im Jahre 2000 erhielten sie dafür den <a href="Nobelpreis_f%C3%BCr_Chemie" title="Nobelpreis für Chemie">Nobelpreis für Chemie</a> (siehe Abschnitt <a href="#Organische_Halbleiter">organische Halbleiter</a>).<sup id="cite_ref-12" class="reference"><a href="#cite_note-12"><span class="cite-bracket">[</span>12<span class="cite-bracket">]</span></a></sup><sup id="cite_ref-13" class="reference"><a href="#cite_note-13"><span class="cite-bracket">[</span>13<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Einteilung">Einteilung</h2></div>

<p>Die in der <a href="Mikroelektronik" title="Mikroelektronik">Mikroelektronik</a> verwendeten klassischen, das heißt kristallinen elektronischen Halbleiter lassen sich in zwei Gruppen einordnen, den <i>Elementhalbleitern</i> und den <i>Verbindungshalbleitern</i>. Zu den Elementhalbleitern zählen Elemente mit vier <a href="Valenzelektron" title="Valenzelektron">Valenzelektronen</a>, beispielsweise Silicium (Si) und Germanium (Ge). Die Gruppe der Verbindungshalbleiter umfasst <a href="Chemische_Verbindung" title="Chemische Verbindung">chemische Verbindungen</a>, die im Mittel vier Valenzelektronen besitzen. Dazu zählen Verbindungen von Elementen der III. mit der V. Hauptgruppe des <a href="Periodensystem" title="Periodensystem">Periodensystems</a> <i>(<a href="III-V-Verbindungshalbleiter" title="III-V-Verbindungshalbleiter">III-V-Verbindungshalbleiter</a>)</i>, wie Galliumarsenid (GaAs) oder <a href="Indiumantimonid" title="Indiumantimonid">Indiumantimonid</a> (InSb), und der II. Neben- mit der VI. Hauptgruppe <i>(II-VI-Halbleiter)</i>, wie Zinkselenid (ZnSe) oder <a href="Cadmiumsulfid" title="Cadmiumsulfid">Cadmiumsulfid</a> (CdS).

</p><p>Es gibt auch Verbindungshalbleiter aus verschiedenen Elementen der IV. Hauptgruppe wie z. B. CSiGeSn.<sup id="cite_ref-EN2025_14-0" class="reference"><a href="#cite_note-EN2025-14"><span class="cite-bracket">[</span>14<span class="cite-bracket">]</span></a></sup><sup id="cite_ref-AM2025_15-0" class="reference"><a href="#cite_note-AM2025-15"><span class="cite-bracket">[</span>15<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Neben diesen häufig eingesetzten Halbleitern gibt es noch die <i>I-VII-Halbleiter</i>, wie <a href="Kupfer(I)-chlorid" title="Kupfer(I)-chlorid">Kupfer(I)-chlorid</a>. Auch Materialien, die im Durchschnitt nicht vier Valenzelektronen haben, können als Halbleiter bezeichnet werden, wenn sie einen <a href="Spezifischer_Widerstand" title="Spezifischer Widerstand">spezifischen Widerstand</a> im Bereich von größer 10<sup>−4</sup> Ω·m und kleiner 10<sup>6</sup> Ω·m haben.

</p><p>Eine weitere große Klasse sind die <a href="Organische_Halbleiter" title="Organische Halbleiter">organischen Halbleiter</a>. Als organisch werden sie bezeichnet, weil sie hauptsächlich aus Kohlenstoffatomen aufgebaut sind. Sie werden unterteilt in halbleitende Polymere (unterschiedlich lange Ketten aus einzelnen Monomeren) und kleine Moleküle (einzelne, abgeschlossene Einheiten). Obwohl <a href="Fullerene" title="Fullerene">Fullerene</a>, <a href="Kohlenstoffnanor%C3%B6hren" class="mw-redirect" title="Kohlenstoffnanoröhren">Kohlenstoffnanoröhren</a> und deren Derivate streng genommen auch kleine Moleküle darstellen, werden sie oft als alleinstehende Untergruppe wahrgenommen. Klassische Beispiele für organische Halbleiter sind <a href="Poly(3-hexylthiophen-2%2C5-diyl)" title="Poly(3-hexylthiophen-2,5-diyl)">P3HT</a> (Poly-3-hexylthiophen, Polymer), <a href="Pentacen" title="Pentacen">Pentacen</a> (kleines Molekül) oder <a href="PCBM" title="PCBM">PCBM</a> (<span lang="en">Phenyl-C61-butyric acid methyl ester</span>, Fulleren-Derivat). Eingesetzt werden organische Halbleiter in Leuchtdioden (OLEDs), <a href="Organische_Solarzelle" title="Organische Solarzelle">Solarzellen</a> (OPVs) und Feldeffekttransistoren.

</p><p>Mehrere halbleitende Moleküle oder Atome bilden im Verbund einen Kristall oder erzeugen einen ungeordneten (amorphen) Festkörper. Grob können die meisten anorganischen Halbleiter als kristallin, die meisten organischen Halbleiter als amorph klassifiziert werden. Ob jedoch wirklich ein Kristall oder ein amorpher Festkörper gebildet wird, hängt im Wesentlichen vom Herstellungsprozess ab. So kann beispielsweise Silicium kristallin (c-Si) oder amorph (a-Si) sein, beziehungsweise auch eine <a href="Polykristall" title="Polykristall">polykristalline Mischform</a> (poly-Si) bilden. Ebenso existieren <a href="Einkristall" title="Einkristall">Einkristalle</a> aus organischen Molekülen.

</p>

<caption>Chemische Einteilung

</caption>

<th>Elementhalbleiter

</th>

<th>Verbindungshalbleiter (ohne org. HL)

</th>

<th>Organische Halbleiter

</th></tr>

<tr>

<td rowspan="3"><a href="Silicium" title="Silicium">Si</a>, <a href="Germanium" title="Germanium">Ge</a>, <a href="Selen" title="Selen">Se</a>, α-<a href="Zinn" title="Zinn">Sn</a>, <a href="Bor" title="Bor">B</a>,<br><a href="Tellur" title="Tellur">Te</a>, <a href="Kohlenstoff" title="Kohlenstoff">C</a> (<a href="Fullerene" title="Fullerene">Fullerene</a>),<br><a href="Diamant" title="Diamant">C</a> (<a href="Chemische_Gasphasenabscheidung" title="Chemische Gasphasenabscheidung">CVD</a>)

</td>

<td><i><a href="IV-IV-Verbindungshalbleiter" title="IV-IV-Verbindungshalbleiter">IV-IV</a>:</i> CSiGeSn

</td>

<td rowspan="4"><a href="Tetracen" title="Tetracen">Tetracen</a>, <a href="Pentacen" title="Pentacen">Pentacen</a>, <a href="Polythiophen" class="mw-redirect" title="Polythiophen">Polythiophen</a>,<br><a href="Phthalocyanin" title="Phthalocyanin">Phthalocyanine</a>, <a href="PTCDA" title="PTCDA">PTCDA</a>, <a href="MePTCDI" title="MePTCDI">MePTCDI</a>,<br><a href="Chinacridon" title="Chinacridon">Chinacridon</a>, <a href="Acridon" title="Acridon">Acridon</a>, <a href="Indanthron" title="Indanthron">Indanthron</a>,<br><a href="Flavanthron" class="mw-redirect" title="Flavanthron">Flavanthron</a>, <a href="Perinon" title="Perinon">Perinon</a>, <a href="Aluminium-tris(8-hydroxychinolin)" title="Aluminium-tris(8-hydroxychinolin)">Alq3</a>

</td></tr>

<tr>

</td></tr>

<tr>

</td></tr>

<tr>

<td rowspan="5"><i>Unter hohem Druck:</i><br><a href="Bismut" title="Bismut">Bi</a>, <a href="Calcium" title="Calcium">Ca</a>, <a href="Strontium" title="Strontium">Sr</a>, <a href="Barium" title="Barium">Ba</a>, <a href="Ytterbium" title="Ytterbium">Yb</a>, <a href="Phosphor" title="Phosphor">P</a>,<br><a href="Schwefel" title="Schwefel">S</a>, <a href="Iod" title="Iod">I</a>

</td>

<td><i>III-VI:</i> <a href="Gallium(II)-sulfid" title="Gallium(II)-sulfid">GaS</a>, <a href="Gallium(II)-selenid" title="Gallium(II)-selenid">GaSe</a>, <a href="Gallium(II)-tellurid" title="Gallium(II)-tellurid">GaTe</a>, <a href="Indium(III)-sulfid" title="Indium(III)-sulfid">InS</a>, <a href="Indium(II)-selenid" title="Indium(II)-selenid">InSe</a>, <a href="Indium(I%2CIII)-tellurid" title="Indium(I,III)-tellurid">InTe</a> …

</td></tr>

<tr>

<td><i>I-III-VI:</i> CuInSe<sub>2</sub>, <a href="Kupferindiumgalliumdiselenid" class="mw-redirect" title="Kupferindiumgalliumdiselenid">CuInGaSe<sub>2</sub></a>, CuInS<sub>2</sub>, CuInGaS<sub>2</sub> …

</td>

<td rowspan="4"><i>Mischsysteme:</i><br><a href="Polyvinylcarbazol" title="Polyvinylcarbazol">Polyvinylcarbazol</a>, <a href="TCNQ" class="mw-redirect" title="TCNQ">TCNQ</a>-Komplexe

</td></tr>

<tr>

</td></tr>

<tr>

</td></tr>

<tr>

</td></tr></tbody></table>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Kristalline_Halbleiter">Kristalline Halbleiter</h2></div>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Physikalische_Grundlagen">Physikalische Grundlagen</h3></div>

/* start https://de.wikipedia.org/ */

.mw-parser-output .vl-mehrere-bilder{margin-top:.5em}.mw-parser-output .vl-mehrere-bilder-kopf{clear:both;font-weight:bold}.mw-parser-output .vl-mehrere-bilder-horizontal{float:left;padding:1px}@media screen{html.skin-theme-clientpref-night .mw-parser-output .vl-mehrere-bilder .thumbimage{background:none}html.skin-theme-clientpref-night .mw-parser-output .vl-mehrere-bilder .thumbimage:not([style*="background"]) span:not([class]) img{background-color:var(--background-color-base-fixed,#ffffff);color:var(--color-base-fixed,#202122);filter:brightness(0.8)}}@media screen and (prefers-color-scheme:dark){html.skin-theme-clientpref-os .mw-parser-output .vl-mehrere-bilder .thumbimage{background:none}html.skin-theme-clientpref-os .mw-parser-output .vl-mehrere-bilder .thumbimage:not([style*="background"]) span:not([class]) img{background-color:var(--background-color-base-fixed,#ffffff);color:var(--color-base-fixed,#202122);filter:brightness(0.8)}}

/* end https://de.wikipedia.org/ */

</style><div class="thumb tright vl-mehrere-bilder" style="width:322px;"><div class="thumbinner"><div class="vl-mehrere-bilder-horizontal" style="width:154px;"><div class="thumbimage"><span typeof="mw:File"></span></div></div><div class="vl-mehrere-bilder-horizontal" style="width:154px;"><div class="thumbimage"><span typeof="mw:File"></span></div></div><div style="clear:both;"></div>

<div class="thumbcaption vl-mehrere-bilder-horizontal" style="width:154px !important;">Diamantstruktur (<a href="Elementarzelle" title="Elementarzelle">Elementarzelle</a>)</div><div class="thumbcaption vl-mehrere-bilder-horizontal" style="width:154px !important;">Zinkblendestruktur (Elementarzelle)</div>

</div></div>

<p>Die Halbleitereigenschaften von Stoffen gehen auf ihre chemischen Bindungen und somit ihren atomaren Aufbau zurück. Halbleiter können in unterschiedlichen Strukturen <a href="Kristallisieren" class="mw-redirect" title="Kristallisieren">kristallisieren</a>. <a href="Silicium" title="Silicium">Silicium</a> und <a href="Germanium" title="Germanium">Germanium</a> kristallisieren in der <a href="Diamantstruktur" title="Diamantstruktur">Diamantstruktur</a> (rein <a href="Kovalente_Bindung" title="Kovalente Bindung">kovalente Bindung</a>) und <a href="III-V-Verbindungshalbleiter" title="III-V-Verbindungshalbleiter">III-V-</a> und <a href="II-VI-Verbindungshalbleiter" title="II-VI-Verbindungshalbleiter">II-VI-</a>Verbindungshalbleiter hingegen meist in der <a href="Zinkblende-Struktur" title="Zinkblende-Struktur">Zinkblende-Struktur</a> (gemischt kovalent-ionische Bindung).

</p>

<p>Die grundlegenden Eigenschaften von kristallinen Halbleitern lassen sich anhand des <a href="B%C3%A4ndermodell" title="Bändermodell">Bändermodells</a> erklären: Die <a href="Elektron" title="Elektron">Elektronen</a> in Festkörpern wechselwirken über sehr viele Atomabstände hinweg miteinander. Dies führt faktisch zu einer Aufweitung der (im Einzelatom noch als diskrete Niveaus vorliegenden) möglichen Energiewerte zu ausgedehnten Energiebereichen, den sogenannten <a href="Energieband" class="mw-redirect" title="Energieband">Energiebändern</a>. Da die Energiebänder je nach Aufweitung und Atomart verschieden zueinander liegen, können Bänder sich überlappen oder durch Energiebereiche, in denen nach der <a href="Quantenmechanik" title="Quantenmechanik">Quantenmechanik</a> keine erlaubten Zustände existieren (Energie- oder <a href="Bandl%C3%BCcke" title="Bandlücke">Bandlücke</a>), getrennt sein.

</p><p>Bei Halbleitern sind nun das höchste besetzte Energieband (<a href="Valenzband" title="Valenzband">Valenzband</a>) und das nächsthöhere Band (<a href="Leitungsband" title="Leitungsband">Leitungsband</a>) durch eine Bandlücke getrennt. Das <a href="Fermi-Niveau" class="mw-redirect" title="Fermi-Niveau">Fermi-Niveau</a> liegt genau in der Bandlücke.<sup id="cite_ref-16" class="reference"><a href="#cite_note-16"><span class="cite-bracket">[</span>16<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

Bei einer Temperatur in der Nähe des <a href="Absoluter_Nullpunkt" title="Absoluter Nullpunkt">absoluten Nullpunktes</a> ist das Valenzband voll besetzt und das Leitungsband vollkommen frei von Ladungsträgern. Da unbesetzte Bänder mangels beweglicher Ladungsträger keinen elektrischen Strom leiten und Ladungsträger in vollbesetzten Bändern mangels erreichbarer freier Zustände keine Energie aufnehmen können, was zu einer beschränkten Beweglichkeit führt, leiten Halbleiter den elektrischen Strom nicht bei einer Temperatur nahe dem absoluten Nullpunkt.

</p><p>Für den Leitungsvorgang sind teilbesetzte Bänder notwendig, die bei <a href="Metalle" title="Metalle">Metallen</a> durch eine Überlappung der äußeren Bänder bei jeder Temperatur zu finden sind. Dies ist – wie oben erwähnt – bei Halbleitern und Isolatoren nicht gegeben. Die Bandlücke („verbotenes Band“ oder „verbotene Zone“ genannt) bei Halbleitern ist im Gegensatz zu Isolatoren (typischerweise <i>E</i><sub>G</sub> > 4 eV<sup id="cite_ref-HollemanWiberg1313_17-0" class="reference"><a href="#cite_note-HollemanWiberg1313-17"><span class="cite-bracket">[</span>17<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>) jedoch relativ klein (<a href="Indiumarsenid" title="Indiumarsenid">InAs</a>: ≈ 0,4 <a href="Elektronenvolt" title="Elektronenvolt">eV</a>, <a href="Germanium" title="Germanium">Ge</a>: ≈ 0,7 eV, <a href="Silicium" title="Silicium">Si</a>: ≈ 1,1 eV, <a href="GaAs" class="mw-redirect" title="GaAs">GaAs</a>: ≈ 1,4 eV, <a href="Siliciumcarbid" title="Siliciumcarbid">SiC</a>: ≈ 2,39 … 3,33 eV, <a href="Galliumnitrid" title="Galliumnitrid">GaN</a>: ≈ 3,4 eV, <a href="Gallium(III)-oxid" title="Gallium(III)-oxid">β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub></a>: ≈ 4,8 eV, <a href="Diamant" title="Diamant">Diamant</a>: ≈ 5,45 eV), so dass beispielsweise durch die Energie der Wärmeschwingungen bei Raumtemperatur oder durch <a href="Absorption_(Physik)" title="Absorption (Physik)">Absorption</a> von <a href="Licht" title="Licht">Licht</a> viele Elektronen vom vollbesetzten Valenzband ins Leitungsband angeregt werden können. Halbleiter haben also eine <a href="Intrinsische_Leitf%C3%A4higkeit" title="Intrinsische Leitfähigkeit">intrinsische</a>, mit der Temperatur zunehmende elektrische Leitfähigkeit. Deshalb werden Halbleiter auch zu den <a href="Hei%C3%9Fleiter" title="Heißleiter">Heißleitern</a> gezählt. Der Übergang von Halbleitern zu Isolatoren ist fließend. So wird beispielsweise <a href="Galliumnitrid" title="Galliumnitrid">Galliumnitrid</a> (GaN; Einsatz in blauen <a href="LED" class="mw-redirect" title="LED">LEDs</a>) mit einer Bandlückenenergie von ≈ 3,2 eV ebenfalls zu den Halbleitern gezählt, Diamant mit einer Bandlücke von ≈ 5,5 eV aber nicht mehr. Halbleiter mit einer Bandlücke deutlich größer als 1 eV werden auch als <a href="Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand" title="Halbleiter mit breitem Bandabstand">Halbleiter mit breitem Bandabstand</a> (<span style="font-style:normal;font-weight:normal"><a href="Englische_Sprache" title="Englische Sprache">englisch</a></span> <span lang="en-Latn" style="font-style:italic">wide-bandgap semiconductor</span>) bezeichnet.

</p><p>Wird, wie oben beschrieben, ein Elektron in einem Halbleiter aus dem Valenzband in das Leitungsband angeregt, so hinterlässt es an seiner ursprünglichen Stelle ein <a href="Defektelektron" title="Defektelektron">Defektelektron</a>, „Loch“ genannt. Gebundene Valenzelektronen in der Nachbarschaft solcher Löcher können durch Platzwechsel in ein Loch „springen“, hierbei wandert das Loch. Es kann daher als bewegliche positive Ladung aufgefasst werden.

Sowohl die angeregten Elektronen als auch die Defektelektronen tragen somit zur elektrischen Leitung bei.

</p><p>Elektronen aus dem Leitungsband können mit den Defektelektronen <a href="Rekombination_(Physik)" title="Rekombination (Physik)">rekombinieren</a> (Elektron-Loch-Rekombination). Dieser Übergang zwischen den beteiligten Niveaus kann unter Abgabe von elektromagnetischer Rekombinationsstrahlung (<a href="Photon" title="Photon">Photon</a>) und/oder unter der Abgabe eines <a href="Impuls" title="Impuls">Impulses</a> an das Kristallgitter (<a href="Phonon" title="Phonon">Phonon</a>) erfolgen.

</p>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Direkte_und_indirekte_Halbleiter">Direkte und indirekte Halbleiter</h3></div>

<div class="thumb tright vl-mehrere-bilder" style="width:418px;"><div class="thumbinner"><div class="vl-mehrere-bilder-kopf" style="text-align:center;">Bandstruktur eines …</div><div class="vl-mehrere-bilder-horizontal" style="width:202px;"><div class="thumbimage"><span typeof="mw:File"></span></div></div><div class="vl-mehrere-bilder-horizontal" style="width:202px;"><div class="thumbimage"><span typeof="mw:File"></span></div></div><div style="clear:both;"></div>

<div class="thumbcaption vl-mehrere-bilder-horizontal" style="width:202px !important;">… indirekten Halbleiters</div><div class="thumbcaption vl-mehrere-bilder-horizontal" style="width:202px !important;">… direkten Halbleiters</div>

</div></div>

<p>Halbleiter werden in zwei Gruppen eingeteilt, die <i>direkten</i> und die <i>indirekten</i> Halbleiter. Ihre unterschiedlichen Eigenschaften lassen sich nur durch die Betrachtung der <a href="Bandstruktur" title="Bandstruktur">Bandstruktur</a> im sogenannten <a href="Impulsraum" title="Impulsraum">Impulsraum</a> verstehen: Die Ladungsträger im Halbleiter lassen sich als <a href="Materiewelle" title="Materiewelle">Materiewellen</a> mit einem <a href="Quasiimpuls" title="Quasiimpuls">Quasiimpuls</a> auffassen. Innerhalb eines Bandes hängt die Energie vom Quasiimpuls (oft als Wellenvektor angegeben) ab.

</p><p>Die Extremwerte der Energie innerhalb der Bänder, also die Bandkanten, liegen bei unterschiedlichen Wellenvektoren – wo genau, hängt vom Material und der Struktur ab.

Wenn ein Elektron aus dem Valenzband ins Leitungsband angeregt wird, so ist es energetisch am günstigsten (und somit am wahrscheinlichsten), wenn es vom Maximum des Valenzbandes zum Minimum des Leitungsbandes angeregt wird.

</p><p>Liegen diese Extrema nahezu beim gleichen Quasiimpuls, ist eine Anregung zum Beispiel durch ein <a href="Photon" title="Photon">Photon</a> ohne weiteres möglich, da das Elektron lediglich seine Energie, nicht aber seinen Impuls ändern muss. Man spricht von einem <i>direkten Halbleiter</i>. Liegen die Extrema jedoch bei unterschiedlichen Quasiimpulsen, so muss das Elektron zusätzlich zu seiner Energie auch seinen Impuls ändern, um ins Leitungsband angeregt zu werden. Dieser Impuls kann nicht von einem Photon (welches einen sehr kleinen Impuls hat) stammen, sondern muss von einer Gitterschwingung (auch <a href="Phonon" title="Phonon">Phonon</a>) beigesteuert werden.

</p><p>Bei der <a href="Rekombination_(Physik)" title="Rekombination (Physik)">Rekombination</a> von Elektronen-Loch-Paaren gilt im Prinzip dasselbe. In einem direkten Halbleiter kann bei der Rekombination ein Lichtquant ausgesandt werden. Bei einem indirekten Halbleiter hingegen müsste zum Photon für die Energie noch ein Phonon für den Impuls erzeugt (oder absorbiert) werden und die strahlende Rekombination wird weniger wahrscheinlich. Es dominieren dann oft andere, nicht strahlende Rekombinationsmechanismen, z. B. über Verunreinigungen. Hieraus folgt, dass nur direkte Halbleiter zur effektiven Strahlungserzeugung verwendet werden können.

Direkte und indirekte Halbleiter werden mittels Absorptionsversuch voneinander unterschieden.

In der Regel sind Elementhalbleiter (<a href="Silicium" title="Silicium">Silicium</a>, <a href="Germanium" title="Germanium">Germanium</a>) und Verbindungshalbleiter aus der IV. <a href="Hauptgruppe" title="Hauptgruppe">Hauptgruppe</a> indirekt und Verbindungshalbleiter aus verschiedenen Hauptgruppen (III/V: <a href="GaAs" class="mw-redirect" title="GaAs">GaAs</a>, InP, GaN) direkt. Durch Steuerung der Zusammensetzung kann beim IV–IV-Material CSiGeSn die Bandlücke eingestellt werden und sogar ein direkter Halbleiter hergestellt werden.<sup id="cite_ref-EN2025_14-1" class="reference"><a href="#cite_note-EN2025-14"><span class="cite-bracket">[</span>14<span class="cite-bracket">]</span></a></sup><sup id="cite_ref-AM2025_15-1" class="reference"><a href="#cite_note-AM2025-15"><span class="cite-bracket">[</span>15<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Bei einer Bandstruktur, bei der nahe der Leitungs- oder Valenzbandkante verschiedene Punkte im Impulsraum möglich sind, kann es zum sogenannten <a href="Gunn-Effekt" title="Gunn-Effekt">Gunn-Effekt</a> kommen.

</p>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Eigenhalbleiter_und_Störstellenhalbleiter"><span id="Eigenhalbleiter_und_St.C3.B6rstellenhalbleiter"></span>Eigenhalbleiter und Störstellenhalbleiter</h3></div>

<p>Die Dichte freier Elektronen und Löcher in reinen, das heißt undotierten, Halbleitern wird <i>intrinsische Ladungsträgerdichte</i> oder <a href="Eigenleitungsdichte" title="Eigenleitungsdichte">Eigenleitungsdichte</a> genannt – ein Eigenhalbleiter wird deshalb auch intrinsischer Halbleiter genannt, der dominierende Leitungsmechanismus ist die Eigenleitung. Die Ladungsträgerdichte im undotierten Halbleiter ist stark von der Temperatur abhängig und steigt mit ihr an. Wird dagegen die Konzentration der Ladungsträger im Leitungsband (Elektronen) beziehungsweise im Valenzband (Löcher) durch den Dotierstoff bestimmt, spricht man von einem Störstellenhalbleiter oder <a href="Extrinsisch" title="Extrinsisch">extrinsischen</a> Halbleiter – hier ist der dominierende Leitungsmechanismus die <a href="St%C3%B6rstellenleitung" class="mw-redirect" title="Störstellenleitung">Störstellenleitung</a>.

</p>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Dotierung_und_Störstellenleitung"><span id="Dotierung_und_St.C3.B6rstellenleitung"></span>Dotierung und Störstellenleitung</h3></div>

<div class="mw-heading mw-heading4"><h4 id="Donatoren_und_Akzeptoren">Donatoren und Akzeptoren</h4></div>

<caption>Dotiergrade von Silicium

</caption>

<th>Dotierungsstärke

</th>

<th>n-leitend

</th>

<th>p-leitend

</th></tr>

<tr>

<td>normale Dotierung</td>

<td>ein Donator auf 10<sup>7</sup></td>

<td>ein Akzeptor auf 10<sup>6</sup>

</td></tr>

<tr>

<td>starke Dotierung</td>

<td>ein Donator auf 10<sup>4</sup></td>

<td>ein Akzeptor auf 10<sup>4</sup>

</td></tr></tbody></table>

<p>Durch Einbringen von <a href="St%C3%B6rstelle" title="Störstelle">Störstellen</a> in einen Halbleiterkristall können die elektrischen Eigenschaften (reiner) Halbleiter beeinflusst werden. Störstellen sind Fremdatome, welche sich in ihrer <a href="Wertigkeit_(Chemie)" title="Wertigkeit (Chemie)">Wertigkeit</a> von den Atomen des Wirtsmaterials unterscheiden, Beispiele sind Bor oder Phosphor in einem Siliciumkristall. Der Vorgang wird allgemein als <a href="Dotierung" title="Dotierung">Dotierung</a> beziehungsweise als „Dotieren“ bezeichnet. Außerdem können durch die Kombination von unterschiedlich dotierten Gebieten verschiedene Bauelemente, z. B. ein <a href="Bipolartransistor" title="Bipolartransistor">Bipolartransistor</a>, hergestellt werden.

In manchen Halbleitern können schon geringste Mengen an Fremdatomen (z. B. ein Fremdatom auf 10 Mio. Halbleiteratome) zu extremen Änderungen der elektrischen Eigenschaften führen, die das intrinsische Halbleiten weit übertreffen.

</p><p>Das Einbringen von Störstellen erzeugt zusätzliche, örtlich gebundene Energieniveaus im Banddiagramm des Kristalls. Die Niveaus liegen im Allgemeinen in der für das Wirtsmaterial ansonsten vorhandenen Energielücke (<a href="Bandl%C3%BCcke" title="Bandlücke">Bandlücke</a>) zwischen Valenz- und Leitungsband. Durch die im Vergleich zu undotierten Halbleitern geringeren Energiedifferenzen der „Zwischenniveaus“ zum Valenz- beziehungsweise Leitungsband können diese Niveaus leichter angeregt werden und so bewegliche Ladungsträger zur Verfügung stellen. Das Chemische Potential verschiebt sich aus der Mitte der Bandlücke in die Nähe der zusätzlichen Niveaus. Es stehen daher mehr Ladungsträger für die Leitung des elektrischen Stroms zur Verfügung, was sich in einer gegenüber dem reinen Halbleiter erhöhten Leitfähigkeit äußert. Man nennt diesen Leitungsmechanismus daher auch <i>Störstellenleitung</i>. Es werden dabei zwei Arten von Störstellen unterschieden: Donatoren und Akzeptoren.

</p>

<p>Als (Elektronen-)Donatoren (lat. <span lang="la"><i>donare</i></span> = schenken) werden Fremdatome bezeichnet, die zusätzliche Elektronen im Leitungsband bereitstellen, man bezeichnet solche Gebiete auch als n-dotierte Halbleiter. Werden solche Fremdatome in den Halbleiter eingebracht (substituiert), so bringt jedes dieser Fremdatome (im Fall von mit Phosphor dotiertem Silicium) ein Elektron mit, das nicht für die Bindung benötigt wird und leicht abgelöst werden kann. Es bildet sich ein Störstellenniveau in der Nähe der unteren Energie des Leitungsbandes.

</p><p>Analog werden als (Elektronen-)Akzeptoren (lat. <span lang="la"><i>accipere</i></span> = annehmen) Fremdatome bezeichnet, die ein Elektron weniger im Valenzband haben. Dieses Elektron fehlt für die Bindung zum Nachbaratom. Sie wirken als ein zusätzliches <a href="Defektelektron" title="Defektelektron">Defektelektron</a> (Loch) mit (p-Dotierung), welches leicht von Valenzbandelektronen besetzt werden kann – daher findet sich auch in einigen Betrachtungen der Begriff Löcherdonatoren. Im Bänderschema liegt ein solches Störstellenniveau nahe oberhalb der Valenzbandkante.

</p><p>In einem intrinsischen Halbleiter sind die Ladungsträgerkonzentrationen von Elektronen und Löchern gleich (Elektronen-Loch-Paare). Daher sind beide Ladungsträgerarten <i>näherungsweise</i> zu gleichen Teilen am Ladungstransport beteiligt. Durch das Einbringen von Donatoren und Akzeptoren lässt sich dieses Gleichgewicht gezielt beeinflussen.

</p><p>Bei Dotierung mit Donatoren sorgen vorwiegend die Elektronen im Leitungsband, bei Dotierung mit Akzeptoren die gedachten, positiv geladenen Löcher im Valenzband für elektrische Leitfähigkeit. Im ersten Fall spricht man von <a href="Elektronenleitung" title="Elektronenleitung">Elektronenleitung</a> oder n-Leitung (n → negativ), im anderen Fall von <a href="L%C3%B6cherleitung" title="Löcherleitung">Löcherleitung</a> oder p-Leitung (p → positiv). Halbleiterbereiche mit <a href="Elektronen%C3%BCberschuss" class="mw-redirect" title="Elektronenüberschuss">Elektronenüberschuss</a> bezeichnet man (wie oben erwähnt) als <i>n-dotiert</i>, solche mit Mangel, also mit „Löcherüberschuss“, als <i>p-dotiert</i>.

Im n-Leiter werden die Elektronen als Majoritätsladungsträger (mehrheitlich vorhandene Ladungsträger), die Löcher als Minoritätsladungsträger bezeichnet, im p-Leiter gilt die entsprechende Umkehrung.

Durch geschickte Kombination von n- und p-dotierten Bereichen (siehe <a href="P-n-%C3%9Cbergang" title="P-n-Übergang">p-n-Übergang</a>) kann man einzelne, sogenannte diskrete <a href="Halbleiterbauelement" class="mw-redirect" title="Halbleiterbauelement">Halbleiterbauelemente</a> wie <a href="Diode" title="Diode">Dioden</a> und <a href="Transistor" title="Transistor">Transistoren</a> und komplexe, aus vielen Bauelementen in einem einzigen Kristall aufgebaute <a href="Integrierte_Schaltung" class="mw-redirect" title="Integrierte Schaltung">integrierte Schaltungen</a> aufbauen.

Oft ist in diesen Elektronikbauteilen das intrinsische Halbleiten sogar störend (siehe z. B. <a href="Leckstrom" title="Leckstrom">Leckstrom</a>), sodass sie mitunter explizit gekühlt werden müssen.

</p>

<div class="mw-heading mw-heading4"><h4 id="Leitungsmechanismen_in_dotierten_Halbleitern">Leitungsmechanismen in dotierten Halbleitern</h4></div>

<p>Am absoluten Nullpunkt (<i>T</i> = 0 K) unterscheiden sich dotierte und undotierte Halbleiter hinsichtlich der Ladungsträgerdichte nicht – es steht nicht ausreichend Energie zur Verfügung, um Elektronen in das Leitungsband oder auf Störstellenniveaus anzuregen. Wird die Temperatur erhöht (damit steigt die zur Verfügung stehende Energie durch thermische Anregung), ändern sich die Verhältnisse. Da die energetischen Abstände der Störstellen zum Valenz- beziehungsweise Leitungsband sehr viel geringer als der Bandabstand sind, können Elektronen vom Donatorniveau ins Leitungsband beziehungsweise Löcher vom Akzeptorniveau ins Valenzband angeregt werden. Es stehen in Abhängigkeit von der Temperatur freie Ladungsträger zur Verfügung, die Leitfähigkeit von dotierten Halbleitern steigt. Da noch nicht alle Störstellenniveaus ionisiert beziehungsweise besetzt sind, bezeichnet man diesen Bereich als <a href="St%C3%B6rstellenreserve" title="Störstellenreserve">Störstellenreserve</a>. Wird die Temperatur weiter erhöht, bis alle Störstellenniveaus ionisiert beziehungsweise besetzt sind, spricht man von <a href="St%C3%B6rstellenersch%C3%B6pfung" title="Störstellenerschöpfung">Störstellenerschöpfung</a>. Die Ladungsträgerdichte und somit die Leitfähigkeit hängt in diesem Bereich im Wesentlichen nur noch von der Dotierungskonzentration ab. Wegen der mit zunehmender Temperatur abnehmenden Beweglichkeit hat man in diesem Temperaturbereich ähnlich wie bei Metallen i. A. eine mit der Temperatur leicht abnehmende Leitfähigkeit. Bei noch weiterer Erhöhung der Temperatur steht anschließend genug Energie zur Verfügung, um Elektronen direkt vom Valenzband in das Leitungsband anzuheben. Da typische Dotierungskonzentrationen deutlich geringer sind als die Anzahl der Halbleiteratome (mindestens sechs Größenordnungen), überwiegt die Ladungsträgergeneration von Elektron-Loch-Paaren, dieser Bereich wird als intrinsisch oder Eigenleitung des Halbleiters bezeichnet.

</p>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Grenzflächen"><span id="Grenzfl.C3.A4chen"></span>Grenzflächen</h3></div>

<p>Durch die Kombination eines p-dotierten und eines n-dotierten Halbleiters entsteht an der Grenzfläche ein <a href="P-n-%C3%9Cbergang" title="P-n-Übergang">p-n-Übergang</a>. Die Kombination eines dotierten Halbleiters mit einem Metall (z. B. <a href="Schottky-Diode" title="Schottky-Diode">Schottky-Diode</a>) oder einem Nichtleiter ist ebenfalls von Interesse, und wenn zwei Halbleiter, beispielsweise <a href="Galliumarsenid" title="Galliumarsenid">Galliumarsenid</a> und <a href="Aluminiumgalliumarsenid" title="Aluminiumgalliumarsenid">Aluminiumgalliumarsenid</a>, übereinander liegen, entsteht ein <a href="Hetero%C3%BCbergang" title="Heteroübergang">Heteroübergang</a>. Dabei sind nicht nur p-n-Übergänge von Bedeutung, sondern ebenfalls p-p-Übergänge und n-n-Übergänge, die sogenannten <i>isotypen Hetero-Übergänge</i>, die beispielsweise in einem <a href="Quantentopf" title="Quantentopf">Quantentopf</a> verwendet werden.

</p><p>In jüngster Zeit gibt es Anstrengungen, Halbleiter, <a href="Supraleiter" title="Supraleiter">Supraleiter</a> und Silicium- und <a href="III-V-Halbleiter" class="mw-redirect" title="III-V-Halbleiter">III-V-Halbleiter</a> auf einem Chip zusammenzuführen. Da die <a href="Kristallstruktur" title="Kristallstruktur">Kristallstrukturen</a> nicht kompatibel sind, entstehen in der Grenzfläche Brüche und <a href="Gitterfehler" title="Gitterfehler">Gitterfehler</a>, wenn es nicht gelingt, geeignete Materialien für eine wenige <a href="Atomlage" title="Atomlage">Atomlagen</a> dicke Zwischenschicht zu finden, in der die Gitterabstände sich angleichen können.<sup id="cite_ref-18" class="reference"><a href="#cite_note-18"><span class="cite-bracket">[</span>18<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Semimagnetische_Halbleiter">Semimagnetische Halbleiter</h3></div>

<p>Semimagnetische Halbleiter gehören zur Gruppe der <i>Verbindungshalbleiter</i> (<span style="font-style:normal;font-weight:normal"><a href="Englische_Sprache" title="Englische Sprache">englisch</a></span> <span lang="en-Latn" style="font-style:italic">compound semiconductors</span>). Es handelt sich um Verbindungen wie <a href="Indiumantimonid" title="Indiumantimonid">Indiumantimonid</a> (InSb), die mit wenigen Prozent <a href="Mangan" title="Mangan">Mangan</a> (Mn) dotiert sind und semimagnetische Eigenschaften noch bei <a href="Raumtemperatur" title="Raumtemperatur">Raumtemperatur</a> zeigen.<sup id="cite_ref-19" class="reference"><a href="#cite_note-19"><span class="cite-bracket">[</span>19<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Auch <a href="Indiumarsenid" title="Indiumarsenid">Indiumarsenid</a> (InAs) und <a href="Galliumarsenid" title="Galliumarsenid">Galliumarsenid</a> (GaAs) zeigen, bei hoher Dotierung mit Mangan und dann als InMnAs bzw. GaMnAs bezeichnet, semimagnetische Eigenschaften. Die <a href="Curietemperatur" class="mw-redirect" title="Curietemperatur">Curietemperatur</a> liegt bei InMnAs bei 50–100 K und bei GaMnAs bei 100–200 K und damit deutlich unter Raumtemperatur.<sup id="cite_ref-ohno_(gamn)as_1996_20-0" class="reference"><a href="#cite_note-ohno_(gamn)as_1996-20"><span class="cite-bracket">[</span>20<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Eine charakteristische Eigenschaft dieser semimagnetischen Halbleiter ist der große <a href="Zeeman-Effekt" title="Zeeman-Effekt">Zeeman-Effekt</a>. Im Englischen nennt man semimagnetische Halbleiter <span lang="en"><i>diluted magnetic semiconductors</i></span>, da sie magnetisch verdünnt sind.

</p>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Amorphe_Halbleiter">Amorphe Halbleiter</h2></div>

<div class="hauptartikel" role="navigation"><span class="hauptartikel-pfeil" title="siehe" aria-hidden="true" role="presentation">→ </span><i><span class="hauptartikel-text">Hauptartikel</span>: <a href="Amorphe_Halbleiter" title="Amorphe Halbleiter">Amorphe Halbleiter</a></i></div>

<p>Amorphe Halbleiter haben keine Kristallstruktur. Ein Beispiel für die technische Anwendung ist <a href="Amorphes_Silicium" title="Amorphes Silicium">amorphes Silicium</a> in der <a href="Photovoltaik" title="Photovoltaik">Photovoltaik</a>. Aufgrund ihrer hohen Störstellendichte müssen sie anders verarbeitet werden als kristalline Halbleiter, z. B. um Dotierung erst zu ermöglichen.

</p>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Organische_Halbleiter">Organische Halbleiter</h2></div>

<div class="hauptartikel" role="navigation"><span class="hauptartikel-pfeil" title="siehe" aria-hidden="true" role="presentation">→ </span><i><span class="hauptartikel-text">Hauptartikel</span>: <a href="Organischer_Halbleiter" class="mw-redirect" title="Organischer Halbleiter">organischer Halbleiter</a></i></div>

<p>Im Allgemeinen sind <a href="Organische_Chemie" title="Organische Chemie">organische Materialien</a> elektrisch isolierend. Besitzen Moleküle oder Polymere ein konjugiertes Bindungssystem bestehend aus Doppelbindungen, Dreifachbindungen und aromatischen Ringen, können auch diese elektrisch leitend werden und als organische Halbleiter verwendet werden. Als erstes wurde dies 1976 bei <a href="Polyethin" title="Polyethin">Polyacetylen</a> beobachtet.<sup id="cite_ref-21" class="reference"><a href="#cite_note-21"><span class="cite-bracket">[</span>21<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Polyacetylen ist ein unverzweigtes <a href="Polymer" title="Polymer">Polymer</a> mit abwechselnder <a href="Doppelbindung" title="Doppelbindung">Doppelbindung</a> und <a href="Einfachbindung" class="mw-redirect" title="Einfachbindung">Einfachbindung</a> (–C═C─C═C–). Wird diesem Kunststoff noch ein Akzeptor wie Chlor, Brom oder Iod angefügt <i>(oxidative Dotierung)</i>, liegen zusätzliche Löcher vor. Durch das Hinzufügen von einem <a href="B%C3%A4ndermodell#Halbleiter" title="Bändermodell">Donator</a> wie Natrium <i>(reduktive Dotierung)</i> erhält der Kunststoff zusätzliche Elektronen. Durch diese chemische Änderung brechen die Doppelbindungen auf, und es entsteht ein durchgehendes Leitungsband: Das ursprünglich nichtleitende Polymer wird elektrisch leitend. Besitzen Moleküle oder Polymere auch im undotierten Zustand halbleitende Eigenschaften, spricht man wie bei anorganischen Halbleitern von der intrinsischen Leitfähigkeit (Eigenleitfähigkeit), z. B. <a href="Pentacen" title="Pentacen">Pentacen</a> oder <a href="Poly(3-hexylthiophen-2%2C5-diyl)" title="Poly(3-hexylthiophen-2,5-diyl)">Poly(3-Hexylthiophen)</a>.

Wird der Kunststoff in Form einer <a href="D%C3%BCnne_Schichten" title="Dünne Schichten">dünnen Schicht</a> von 5 bis 1000 nm Dicke hergestellt, ist er geordnet genug, um eine elektrisch durchgängige Schicht zu bilden.

</p>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Anwendungsbereiche">Anwendungsbereiche</h2></div>

<div class="hauptartikel" role="navigation"><span class="hauptartikel-pfeil" title="siehe" aria-hidden="true" role="presentation">→ </span><i><span class="hauptartikel-text">Hauptartikel</span>: <a href="Halbleitertechnik" title="Halbleitertechnik">Halbleitertechnik</a> und <a href="Halbleiterelektronik" title="Halbleiterelektronik">Halbleiterelektronik</a></i></div>

<p>Halbleiter werden in der Elektronik in vielfältiger Form verwendet. Das zugehörige Teilgebiet wird als <a href="Halbleiterelektronik" title="Halbleiterelektronik">Halbleiterelektronik</a> bezeichnet. Dazu zählen vor allem die halbleiterbasierten <a href="Integrierte_Schaltung" class="mw-redirect" title="Integrierte Schaltung">integrierten Schaltungen</a> (ICs, wie <a href="Mikroprozessor" title="Mikroprozessor">Mikroprozessoren</a>, <a href="Mikrocontroller" title="Mikrocontroller">Mikrocontroller</a> usw.) und diverse Bauelemente der <a href="Leistungselektronik" title="Leistungselektronik">Leistungselektronik</a> (z. B. <a href="IGBT" class="mw-redirect" title="IGBT">IGBTs</a>). Unternehmen in diesem Wirtschaftsbereich werden auch als <a href="Halbleiterhersteller" title="Halbleiterhersteller">Halbleiterhersteller</a> bezeichnet. Weitere Anwendungsbereiche mit zunehmender Bedeutung sind die <a href="Photovoltaik" title="Photovoltaik">Photovoltaik</a> (<a href="Solarzelle" title="Solarzelle">Solarzellen</a>) sowie Detektoren und Strahlungsquellen in der <a href="Optik" title="Optik">Optik</a> und <a href="Optoelektronik" title="Optoelektronik">Optoelektronik</a> (zum Beispiel <a href="Fotodetektor" class="mw-redirect" title="Fotodetektor">Fotodetektoren</a> und <a href="Leuchtdiode" title="Leuchtdiode">Leuchtdioden</a>). Um den weiten <a href="Elektromagnetisches_Spektrum" title="Elektromagnetisches Spektrum">Spektralbereich</a> von Leuchtdioden von Infrarot bis Ultraviolett abzudecken, werden verschiedene <a href="Halbleiter_mit_breitem_Bandabstand" title="Halbleiter mit breitem Bandabstand">Wide-Bandgap-Halbleiter</a> eingesetzt, die zunehmend auch in der Hochfrequenz- und Leistungselektronik eine Rolle spielen.

</p><p>Der Fachbereich, der sich mit der Herstellung von halbleiterbasierten mikroelektronischer Bauelemente und Baugruppen befasst wird als <a href="Halbleitertechnik" title="Halbleitertechnik">Halbleitertechnik</a> bezeichnet. Voraussetzung ist die Kenntnis, wie der Halbleiter bearbeitet werden muss, um das gewünschte elektrische Verhalten zu erreichen. Dazu gehören das <a href="Dotierung" title="Dotierung">Dotieren</a> des Halbleiters und das Gestalten der Grenzfläche zwischen Halbleiter und einem weiteren Material.

</p>

<div class="gallerytext">Ein <a href="Wafer" title="Wafer">Wafer</a> (einkristalline <a href="Silicium" title="Silicium">Silicium</a>-Scheibe) mit mikroelektronischen Bauelementen</div>

</li>

<div class="gallerytext">Mikroprozessor</div>

</li>

<div class="gallerytext">Polykristalline Silicium-Solarzellen in einem Solarmodul</div>

</li>

</ul>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Wirtschaft">Wirtschaft</h2></div>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Gesamt">Gesamt</h3></div>

<div class="hauptartikel" role="navigation"><span class="hauptartikel-pfeil" title="siehe" aria-hidden="true" role="presentation">→ </span><i><span class="hauptartikel-text">Hauptartikel</span>: <a href="Halbleiterindustrie" title="Halbleiterindustrie">Halbleiterindustrie</a></i></div>

<p>Die Halbleiterindustrie ist eine Großindustrie. Die Halbleiter-<a href="Marktanalyse" title="Marktanalyse">Marktanalyse</a>-Gesellschaft World Semiconductor Trade Statistics (WSTS) schätzt im Jahr 2022 das Gesamtvolumen der Industrie auf 580 Milliarden US-Dollar.<sup id="cite_ref-22" class="reference"><a href="#cite_note-22"><span class="cite-bracket">[</span>22<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Zum Vergleich im Jahr 1999 lag der Wert noch bei 149,4 Milliarden US-Dollar.<sup id="cite_ref-23" class="reference"><a href="#cite_note-23"><span class="cite-bracket">[</span>23<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Analysten sagen eine „<a href="Billion" title="Billion">Billionen</a>-Dollar-Industrie“ bis im Jahr 2030 voraus.<sup id="cite_ref-24" class="reference"><a href="#cite_note-24"><span class="cite-bracket">[</span>24<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Halbleiterelektronik_(Wafer-Hersteller)"><span id="Halbleiterelektronik_.28Wafer-Hersteller.29"></span>Halbleiterelektronik (Wafer-Hersteller)</h3></div>

<div class="hauptartikel" role="navigation"><span class="hauptartikel-pfeil" title="siehe" aria-hidden="true" role="presentation">→ </span><i><span class="hauptartikel-text">Hauptartikel</span>: <a href="Liste_der_Siliziumhersteller" title="Liste der Siliziumhersteller">Liste der Siliziumhersteller</a></i></div>

<p>Hochreine, <a href="Einkristall" title="Einkristall">monokristalline</a> Silizium-<a href="Wafer" title="Wafer">Wafer</a> gelten als das Ausgangsprodukt der Halbleitertechnologie. Nur wenige Hersteller weltweit bieten derartige Wafer in den Größen zwischen 25 mm bis 300 mm (bzw. 1 Zoll bis 12 Zoll) an. Übergrößen, wie 450-mm-Wafer (18 Zoll), sind verfügbar, jedoch meist im Rahmen von <a href="Forschung_und_Entwicklung" title="Forschung und Entwicklung">F&E</a>.<sup id="cite_ref-25" class="reference"><a href="#cite_note-25"><span class="cite-bracket">[</span>25<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Halbleiterhersteller">Halbleiterhersteller</h3></div>

<p>Zu den „<a href="Halbleiterhersteller" title="Halbleiterhersteller">Halbleiterherstellern</a>“ werden Unternehmen wie Intel, Samsung gezählt.

</p>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Solarbranche">Solarbranche</h3></div>

<div class="hauptartikel" role="navigation"><span class="hauptartikel-pfeil" title="siehe" aria-hidden="true" role="presentation">→ </span><i><span class="hauptartikel-text">Hauptartikel</span>: <a href="Solarindustrie" title="Solarindustrie">Solarindustrie</a></i></div>

<p>Für die Solarindustrie kommt dem <a href="Polysilicium" class="mw-redirect" title="Polysilicium">Polysilizium</a> eine aus wirtschaftlichen Gründen entscheidende Rolle zu.<sup id="cite_ref-26" class="reference"><a href="#cite_note-26"><span class="cite-bracket">[</span>26<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> Die meisten Solarzellen (ca. 90 %) sind aus kristallinem (Poly-)Silizium gemacht (andere sind z. B. <a href="Solarzelle#Dünnschichtzellen" title="Solarzelle">Dünnschichtsolarzellen</a>) und davon sind etwa 40 % aus monokristallinem Silizium.<sup id="cite_ref-27" class="reference"><a href="#cite_note-27"><span class="cite-bracket">[</span>27<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Das Solar-Silizium wird pro Kilogramm zum <a href="Spotpreis" class="mw-redirect" title="Spotpreis">Spotpreis</a> gehandelt. Der Preis liegt (Stand November 2022) bei 36,91 US-Dollar pro kg.<sup id="cite_ref-28" class="reference"><a href="#cite_note-28"><span class="cite-bracket">[</span>28<span class="cite-bracket">]</span></a></sup> In den Jahren 2008 bis 2012 kam es zu starken Preisschwankungen bei den Rohstoffpreisen.<sup id="cite_ref-29" class="reference"><a href="#cite_note-29"><span class="cite-bracket">[</span>29<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Preise für Solarsystem inkl. Batterien (USA) werden durch das amerikanische <a href="National_Renewable_Energy_Laboratory" title="National Renewable Energy Laboratory">NREL</a> verfolgt, aufgearbeitet und publiziert.<sup id="cite_ref-30" class="reference"><a href="#cite_note-30"><span class="cite-bracket">[</span>30<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p><p>Der <a href="Bundesverband_Solarwirtschaft" title="Bundesverband Solarwirtschaft">Bundesverband Solarwirtschaft</a> e. V. veröffentlicht regelmäßig Marktkennzahlen zu:<sup id="cite_ref-31" class="reference"><a href="#cite_note-31"><span class="cite-bracket">[</span>31<span class="cite-bracket">]</span></a></sup>

</p>

<ul><li><a href="Photovoltaik" title="Photovoltaik">Photovoltaik</a></li>

<li><a href="Solarthermie" title="Solarthermie">Solarthermie</a></li>

<li><a href="Stromspeicher" class="mw-disambig" title="Stromspeicher">Stromspeicher</a></li>

<li>Preisindizes</li></ul>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Siehe_auch">Siehe auch</h2></div>

<ul><li><a href="D%C3%BCnnschichttechnologie" class="mw-redirect" title="Dünnschichttechnologie">Dünnschichttechnologie</a></li>

<li><a href="Tr%C3%A4gerstaueffekt" title="Trägerstaueffekt">Trägerstaueffekt</a></li>

<li><a href="Entarteter_Halbleiter" title="Entarteter Halbleiter">Entarteter Halbleiter</a></li>

<li><a href="Halbleitertopographie" class="mw-redirect" title="Halbleitertopographie">Halbleitertopographie</a></li>

<li><a href="Quantenpunkt" title="Quantenpunkt">Quantenpunkt</a></li></ul>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Literatur">Literatur</h2></div>

<div class="mw-heading mw-heading3"><h3 id="Grundlagen">Grundlagen</h3></div>

<ul><li><a href="Marius_Grundmann" title="Marius Grundmann">Marius Grundmann</a>: <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">The Physics of Semiconductors: An Introduction Including Nanophysics and Applications</cite> (= <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic"><a href="Graduate_Texts_in_Physics" title="Graduate Texts in Physics">Graduate Texts in Physics</a></cite>). Springer International Publishing, Cham 2021, ISBN 978-3-03051568-3, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/978-3-030-51569-0">10.1007/978-3-030-51569-0</a></span> (englisch).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=Marius+Grundmann&rft.btitle=The+Physics+of+Semiconductors%3A+An+Introduction+Including+Nanophysics+and+Applications&rft.date=2021&rft.doi=10.1007%2F978-3-030-51569-0&rft.genre=book&rft.isbn=9783030515683&rft.place=Cham&rft.pub=Springer+International+Publishing&rft.series=Graduate+Texts+in+Physics" style="display:none"> </span></li>

<li>Chihiro Hamaguchi: <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">Basic Semiconductor Physics</cite> (= <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic"><a href="Graduate_Texts_in_Physics" title="Graduate Texts in Physics">Graduate Texts in Physics</a></cite>). Springer International Publishing, Cham 2017, ISBN 978-3-319-66859-8, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/978-3-319-66860-4">10.1007/978-3-319-66860-4</a></span> (englisch).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=Chihiro+Hamaguchi&rft.btitle=Basic+Semiconductor+Physics&rft.date=2017&rft.doi=10.1007%2F978-3-319-66860-4&rft.genre=book&rft.isbn=9783319668598&rft.place=Cham&rft.pub=Springer+International+Publishing&rft.series=Graduate+Texts+in+Physics" style="display:none"> </span></li>

<li>Jürgen Smoliner: <cite style="font-style:italic">Grundlagen der Halbleiterphysik: Was Studierende der Physik und Elektrotechnik wissen sollten</cite>. Springer, Berlin / Heidelberg 2020, ISBN 978-3-662-60653-7, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/978-3-662-60654-4">10.1007/978-3-662-60654-4</a></span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=J%C3%BCrgen+Smoliner&rft.btitle=Grundlagen+der+Halbleiterphysik%3A+Was+Studierende+der+Physik+und+Elektrotechnik+wissen+sollten&rft.date=2020&rft.doi=10.1007%2F978-3-662-60654-4&rft.genre=book&rft.isbn=9783662606537&rft.place=Berlin+%2F+Heidelberg&rft.pub=Springer" style="display:none"> </span></li></ul>

<p><b>Weiterführend</b>

</p>

<ul><li>Naci Balkan, Ayşe Erol: <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">Semiconductors for Optoelectronics: Basics and Applications</cite> (= <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic"><a href="Graduate_Texts_in_Physics" title="Graduate Texts in Physics">Graduate Texts in Physics</a></cite>). Springer International Publishing, Cham 2021, ISBN 978-3-319-44934-0, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/978-3-319-44936-4">10.1007/978-3-319-44936-4</a></span> (englisch).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=Naci+Balkan%2C+Ay%C5%9Fe+Erol&rft.btitle=Semiconductors+for+Optoelectronics%3A+Basics+and+Applications&rft.date=2021&rft.doi=10.1007%2F978-3-319-44936-4&rft.genre=book&rft.isbn=9783319449340&rft.place=Cham&rft.pub=Springer+International+Publishing&rft.series=Graduate+Texts+in+Physics" style="display:none"> </span></li>

<li>Jürgen Smoliner: <cite style="font-style:italic">Grundlagen der Halbleiterphysik II: Nanostrukturen und niedrigdimensionale Elektronensysteme</cite>. Springer, Berlin / Heidelberg 2021, ISBN 978-3-662-62607-8, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/978-3-662-62608-5">10.1007/978-3-662-62608-5</a></span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=J%C3%BCrgen+Smoliner&rft.btitle=Grundlagen+der+Halbleiterphysik+II%3A+Nanostrukturen+und+niedrigdimensionale+Elektronensysteme&rft.date=2021&rft.doi=10.1007%2F978-3-662-62608-5&rft.genre=book&rft.isbn=9783662626078&rft.place=Berlin+%2F+Heidelberg&rft.pub=Springer" style="display:none"> </span></li>

<li><a href="Rainer_Waser" title="Rainer Waser">Rainer Waser</a> (Hrsg.): <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">Nanoelectronics and Information Technology: Advanced Electronic Materials and Novel Devices</cite>. 3rd, completely rev. and enlarged Auflage. Wiley-VCH, Weinheim 2012, ISBN 978-3-527-40927-3 (englisch).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.btitle=Nanoelectronics+and+Information+Technology%3A+Advanced+Electronic+Materials+and+Novel+Devices&rft.date=2012&rft.edition=3rd%2C+completely+rev.+and+enlarged&rft.genre=book&rft.isbn=9783527409273&rft.place=Weinheim&rft.pub=Wiley-VCH" style="display:none"> </span></li></ul>

<p><b>Technologie</b>

</p>

<div class="sieheauch" role="navigation" style="font-style:italic;"><span class="sieheauch-text">Siehe auch</span>: <a href="Mikroelektronik" title="Mikroelektronik">Mikroelektronik</a></div>

<p><b>Historisch und Andere</b>

</p>

<ul><li>V. L. Bonc-Bruevic, S. G. Kalasnikov: <cite style="font-style:italic">Halbleiterphysik</cite> (= <cite style="font-style:italic"><a href="Hochschulb%C3%BCcher_f%C3%BCr_Physik" title="Hochschulbücher für Physik">Hochschulbücher für Physik</a></cite>. <span style="white-space:nowrap">Band<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>45</span>). 1. Aufl. (Lizenz). Springer, Wien 2014, ISBN 978-3-7091-9496-6 (<a rel="nofollow" class="external text" href="https://link.springer.com/book/9783709194966">springer.com</a> – Originaltitel: <cite style="font-style:italic">Halbleiterphysik</cite>. 1982.).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=V.+L.+Bonc-Bruevic%2C+S.+G.+Kalasnikov&rft.btitle=Halbleiterphysik&rft.date=2014&rft.edition=1.+Aufl.+%28Lizenz%29&rft.genre=book&rft.isbn=9783709194966&rft.place=Wien&rft.pub=Springer&rft.series=Hochschulb%C3%BCcher+f%C3%BCr+Physik" style="display:none"> </span></li>

<li>Kai Handel: <cite style="font-style:italic">Anfänge der Halbleiterforschung und -entwicklung. Dargestellt an den Biographien von vier deutschen Halbleiterpionieren</cite>. Aachen 1999 (<a rel="nofollow" class="external text" href="http://publications.rwth-aachen.de/record/94503/files/Handel_Kai.pdf">rwth-aachen.de</a> [PDF] Doktorarbeit).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=Kai+Handel&rft.btitle=Anf%C3%A4nge+der+Halbleiterforschung+und+-entwicklung.+Dargestellt+an+den+Biographien+von+vier+deutschen+Halbleiterpionieren&rft.date=1999&rft.genre=book&rft.place=Aachen" style="display:none"> </span></li>

<li><a href="Karl_Seiler_(Physiker)" title="Karl Seiler (Physiker)">Karl Seiler</a>: <cite style="font-style:italic">Physik und Technik der Halbleiter</cite> (= Fritz Gössler [Hrsg.]: <cite style="font-style:italic">Physik und Technik</cite>). Wissenschaftliche Verlagsgesellschaft (WVG), Stuttgart 1964.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=Karl+Seiler&rft.btitle=Physik+und+Technik+der+Halbleiter&rft.date=1964&rft.genre=book&rft.place=Stuttgart&rft.pub=Wissenschaftliche+Verlagsgesellschaft+%28WVG%29&rft.series=Physik+und+Technik" style="display:none"> </span></li></ul>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Weblinks">Weblinks</h2></div>

<div class="sisterproject" style="margin:0.1em 0 0 0;"><div class="noresize noviewer" style="display:inline-block; line-height:10px; min-width:1.6em; text-align:center;" aria-hidden="true" role="presentation"><span class="mw-default-size" typeof="mw:File"><span title="Commons"></span></span></div><b><span class=""><a class="external text" href="https://commons.wikimedia.org/wiki/Category:Semiconductors?uselang=de"><span lang="en">Commons</span>: Halbleiter</a></span></b> – Sammlung von Bildern, Videos und Audiodateien</div>

<div class="sisterproject" style="margin:0.1em 0 0 0;"><span class="noviewer" style="display:inline-block; line-height:10px; min-width:1.6em; text-align:center;" aria-hidden="true" role="presentation"><span class="mw-default-size" typeof="mw:File"><span title="Wiktionary"></span></span></span><b><a href="https://de.wiktionary.org/wiki/Halbleiter" class="extiw external" title="wikt:Halbleiter">Wiktionary: Halbleiter</a></b> – Bedeutungserklärungen, Wortherkunft, Synonyme, Übersetzungen</div>

<ul><li><a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/">Physikalische Daten zu Halbleitermaterialien.</a> Ioffe-Institut St. Petersburg (englisch).</li></ul>

<div class="mw-heading mw-heading2"><h2 id="Einzelnachweise">Einzelnachweise</h2></div>

<li id="cite_note-1"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-1">↑</a></span> <span class="reference-text">Leonhard Stiny: <cite style="font-style:italic">Aktive elektronische Bauelemente: Aufbau, Struktur, Wirkungsweise, Eigenschaften und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauteile</cite>. 3. Auflage. Springer-Verlag, 2016, ISBN 978-3-658-14387-9, <span style="white-space:nowrap">S. 7</span> (<a rel="nofollow" class="external text" href="https://books.google.de/books?id=xJVDDQAAQBAJ&pg=PA7#v=onepage">eingeschränkte Vorschau</a> in der Google-Buchsuche [abgerufen am 29. Oktober 2022]).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=Leonhard+Stiny&rft.btitle=Aktive+elektronische+Bauelemente%3A+Aufbau%2C+Struktur%2C+Wirkungsweise%2C+Eigenschaften+und+praktischer+Einsatz+diskreter+und+integrierter+Halbleiter-Bauteile&rft.date=2016&rft.edition=3.&rft.genre=book&rft.isbn=9783658143879&rft.pub=Springer-Verlag" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-2"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-2">↑</a></span> <span class="reference-text">Hermann Sicius: <cite style="font-style:italic">Halbleiter</cite>. In: <cite style="font-style:italic">Handbuch der chemischen Elemente</cite>. Springer, Berlin / Heidelberg 2022, ISBN 978-3-662-55944-4, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>1–6</span>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/978-3-662-55944-4_23-1">10.1007/978-3-662-55944-4_23-1</a></span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.atitle=Halbleiter&rft.au=Hermann+Sicius&rft.btitle=Handbuch+der+chemischen+Elemente&rft.date=2022&rft.doi=10.1007%2F978-3-662-55944-4_23-1&rft.genre=book&rft.isbn=9783662559444&rft.pages=1-6&rft.place=Berlin+%2F+Heidelberg&rft.pub=Springer" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-Braun1874-3"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-Braun1874_3-0">↑</a></span> <span class="reference-text">Ferdinand Braun: <cite style="font-style:italic">Über die Stromleitung durch Schwefelmetalle</cite>. In: <cite style="font-style:italic"><a href="Annalen_der_Physik_und_Chemie" class="mw-redirect" title="Annalen der Physik und Chemie">Annalen der Physik und Chemie</a></cite>. <span style="white-space:nowrap">Band<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>153</span>, <span style="white-space:nowrap">Nr.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>4</span>, 1874, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>556–563</span> (<a rel="nofollow" class="external text" href="https://gallica.bnf.fr/ark:/12148/bpt6k152378/f580.image">Digitalisat</a>).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.atitle=%C3%9Cber+die+Stromleitung+durch+Schwefelmetalle&rft.au=Ferdinand+Braun&rft.date=1874&rft.genre=journal&rft.issue=4&rft.jtitle=Annalen+der+Physik+und+Chemie&rft.pages=556-563&rft.volume=153" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-4"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-4">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Patent <a rel="nofollow" class="external text" href="https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?locale=de_EP&CC=US&NR=836531">US836531</a>: <i>Means For Receiving Intelligence Communicated By Electric Waves.</i> Veröffentlicht am <span style="white-space:nowrap;">20. November 1905</span>, Erfinder: <a href="Greenleaf_Whittier_Pickard" title="Greenleaf Whittier Pickard">Greenleaf Whittier Pickard</a>.</span><span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft_id=US836531&rft.applcc=US&rft.title=Means+For+Receiving+Intelligence+Communicated+By+Electric+Waves&rft.inventor=%5B%5BGreenleaf+Whittier+Pickard%5D%5D&rft.pubdate=1905-11-20">‌</span></span>

</li>

<li id="cite_note-5"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-5">↑</a></span> <span class="reference-text">Jed Margolin: <a rel="nofollow" class="external text" href="http://www.jmargolin.com/history/trans.htm"><i>The Road to the Transistor</i>.</a> 2004.</span>

</li>

<li id="cite_note-6"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-6">↑</a></span> <span class="reference-text">G. Pearson, W. Brattain: <cite style="font-style:italic">History of Semiconductor Research</cite>. In: <cite style="font-style:italic">Proceedings of the IRE</cite>. <span style="white-space:nowrap">Band<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>43</span>, <span style="white-space:nowrap">Nr.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>12</span>, 1955, <a href="Internationale_Standardnummer_f%C3%BCr_fortlaufende_Sammelwerke" title="Internationale Standardnummer für fortlaufende Sammelwerke">ISSN</a> <span style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://zdb-katalog.de/list.xhtml?t=iss%3D%220096-8390%22&key=cql">0096-8390</a></span>, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>1794–1806</span>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1109/JRPROC.1955.278042">10.1109/JRPROC.1955.278042</a></span> (<a rel="nofollow" class="external text" href="http://ieeexplore.ieee.org/document/4055359/">ieee.org</a> [abgerufen am 4. Dezember 2022]).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.atitle=History+of+Semiconductor+Research&rft.au=G.+Pearson%2C+W.+Brattain&rft.date=1955&rft.doi=10.1109%2FJRPROC.1955.278042&rft.genre=journal&rft.issn=0096-8390&rft.issue=12&rft.jtitle=Proceedings+of+the+IRE&rft.pages=1794-1806&rft.volume=43" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-7"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-7">↑</a></span> <span class="reference-text">Dulal C. Mukherjee, Dibakar Sen: <cite style="font-style:italic">A tribute to Sir Jagadish Chandra Bose (1858–1937)</cite>. In: <cite style="font-style:italic">Photosynthesis Research</cite>. <span style="white-space:nowrap">Band<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>91</span>, <span style="white-space:nowrap">Nr.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>1</span>, 21. März 2007, <a href="Internationale_Standardnummer_f%C3%BCr_fortlaufende_Sammelwerke" title="Internationale Standardnummer für fortlaufende Sammelwerke">ISSN</a> <span style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://zdb-katalog.de/list.xhtml?t=iss%3D%220166-8595%22&key=cql">0166-8595</a></span>, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>1–10</span>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1007/s11120-006-9084-6">10.1007/s11120-006-9084-6</a></span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.atitle=A+tribute+to+Sir+Jagadish+Chandra+Bose+%281858-1937%29&rft.au=Dulal+C.+Mukherjee%2C+Dibakar+Sen&rft.date=2007-03-21&rft.doi=10.1007%2Fs11120-006-9084-6&rft.genre=journal&rft.issn=0166-8595&rft.issue=1&rft.jtitle=Photosynthesis+Research&rft.pages=1-10&rft.volume=91" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-8"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-8">↑</a></span> <span class="reference-text">Kai Christian Handel: <cite style="font-style:italic">Anfänge der Halbleiterforschung und -entwicklung</cite>. 1999 (<a rel="nofollow" class="external text" href="https://publications.rwth-aachen.de/record/94503">rwth-aachen.de</a> [abgerufen am 22. Februar 2023] Dissertation, <a href="RWTH_Aachen" title="RWTH Aachen">RWTH Aachen</a>).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.au=Kai+Christian+Handel&rft.btitle=Anf%C3%A4nge+der+Halbleiterforschung+und+-entwicklung&rft.date=1999&rft.genre=book" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-9"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-9">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.computerhistory.org/siliconengine/the-theory-of-electronic-semi-conductors-is-published/"><i>1931: “The Theory Of Electronic Semi-Conductors” is Published.</i></a> In: <i>The Silicon Engine.</i> <a href="Computer_History_Museum" title="Computer History Museum">Computer History Museum</a>,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 4. Dezember 2022</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=1931%3A+%E2%80%9CThe+Theory+Of+Electronic+Semi-Conductors%E2%80%9D+is+Published&rft.description=1931%3A+%E2%80%9CThe+Theory+Of+Electronic+Semi-Conductors%E2%80%9D+is+Published&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.computerhistory.org%2Fsiliconengine%2Fthe-theory-of-electronic-semi-conductors-is-published%2F&rft.publisher=%5B%5BComputer+History+Museum%5D%5D&rft.language=en"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-10"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-10">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Patent <a rel="nofollow" class="external text" href="https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?locale=de_EP&CC=US&NR=1745175">US1745175</a>: <i>Method and Apparatus For Controlling Electric Currents.</i> Erfinder: Julius Edgar Lilienfeld (Erstanmeldung am 22. Oktober 1925 in Kanada.).</span><span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft_id=US1745175&rft.applcc=US&rft.title=Method+and+Apparatus+For+Controlling+Electric+Currents&rft.inventor=Julius+Edgar+Lilienfeld">‌</span></span>

</li>

<li id="cite_note-11"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-11">↑</a></span> <span class="reference-text">Reinhold Paul: <i>Feldeffekttransistoren – physikalische Grundlagen und Eigenschaften.</i> Verlag Berliner Union u. a., Stuttgart 1972, ISBN 3-408-53050-5.</span>

</li>

<li id="cite_note-12"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-12">↑</a></span> <span class="reference-text">Hideki Shirakawa, Edwin J. Louis, Alan G. MacDiarmid, Chwan K. Chiang, Alan J. Heeger: <cite style="font-style:italic">Synthesis of electrically conducting organic polymers: halogen derivatives of polyacetylene, (CH)x</cite>. In: <cite style="font-style:italic"><a href="Chemical_Communications" title="Chemical Communications">J. Chem. Soc., Chem. Commun.</a></cite> <span style="white-space:nowrap">Nr.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>16</span>, 1977, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>578–580</span>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1039/C39770000578">10.1039/C39770000578</a></span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.atitle=Synthesis+of+electrically+conducting+organic+polymers%3A+halogen+derivatives+of+polyacetylene%2C+%28CH%29x&rft.au=Hideki+Shirakawa%2C+Edwin+J.+Louis%2C+Alan+G.+MacDiarmid%2C+...&rft.date=1977&rft.doi=10.1039%2FC39770000578&rft.genre=journal&rft.issue=16&rft.jtitle=J.+Chem.+Soc.%2C+Chem.+Commun.&rft.pages=578-580" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-13"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-13">↑</a></span> <span class="reference-text">C. K. Chiang, C. R. Fincher, Y. W. Park, A. J. Heeger, H. Shirakawa, E. J. Louis, S. C. Gau, A. G. MacDiarmid: <cite style="font-style:italic">Electrical Conductivity in Doped Polyacetylene</cite>. In: <cite style="font-style:italic"><a href="Physical_Review" title="Physical Review">Physical Review Letters</a></cite>. <span style="white-space:nowrap">Band<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>39</span>, <span style="white-space:nowrap">Nr.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>17</span>, 1977, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>1098–1101</span>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.39.1098">10.1103/PhysRevLett.39.1098</a></span>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.atitle=Electrical+Conductivity+in+Doped+Polyacetylene&rft.au=C.+K.+Chiang%2C+C.+R.+Fincher%2C+Y.+W.+Park%2C+...&rft.date=1977&rft.doi=10.1103%2FPhysRevLett.39.1098&rft.genre=journal&rft.issue=17&rft.jtitle=Physical+Review+Letters&rft.pages=1098-1101&rft.volume=39" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-EN2025-14"><span class="mw-cite-backlink">↑ <sup><a href="#cite_ref-EN2025_14-0">a</a></sup> <sup><a href="#cite_ref-EN2025_14-1">b</a></sup></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Iris Stroh: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.elektroniknet.de/halbleiter/cmos-kompatibler-super-halbleiter-aus-vier-elementen.226287.html"><i>CMOS-kompatibler Super-Halbleiter aus vier Elementen.</i></a> Elektroniknet.de, 16. Juli 2025,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 18. Juli 2025</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=CMOS-kompatibler+Super-Halbleiter+aus+vier+Elementen&rft.description=CMOS-kompatibler+Super-Halbleiter+aus+vier+Elementen&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.elektroniknet.de%2Fhalbleiter%2Fcmos-kompatibler-super-halbleiter-aus-vier-elementen.226287.html&rft.creator=Iris+Stroh&rft.publisher=%5B%5B+Elektroniknet.de%5D%5D&rft.date=2025-07-16"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-AM2025-15"><span class="mw-cite-backlink">↑ <sup><a href="#cite_ref-AM2025_15-0">a</a></sup> <sup><a href="#cite_ref-AM2025_15-1">b</a></sup></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Omar Concepción et al.: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://advanced.onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202506919"><i>Adaptive Epitaxy of C-Si-Ge-Sn: Customizable Bulk and Quantum Structures.</i></a> In: <i><a href="Advanced_Materials" title="Advanced Materials">Advanced Materials</a>.</i> <a href="John_Wiley_%26_Sons" title="John Wiley & Sons">Wiley</a>, 11. Juni 2025,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 18. Juli 2025</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=Adaptive+Epitaxy+of+C-Si-Ge-Sn%3A+Customizable+Bulk+and+Quantum+Structures&rft.description=Adaptive+Epitaxy+of+C-Si-Ge-Sn%3A+Customizable+Bulk+and+Quantum+Structures&rft.identifier=https%3A%2F%2Fadvanced.onlinelibrary.wiley.com%2Fdoi%2F10.1002%2Fadma.202506919&rft.creator=Omar+Concepci%C3%B3n+et+al.&rft.publisher=%5B%5BJohn+Wiley+%26+Sons%7CWiley%5D%5D&rft.date=2025-06-11&rft.language=en"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-16"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-16">↑</a></span> <span class="reference-text">Stefan Goßner: <i>Grundlagen der Elektronik.</i> 11. Auflage. Shaker 2019, ISBN 978-3-8440-6784-2, Kapitel 1: "Halbleiter".</span>

</li>

<li id="cite_note-HollemanWiberg1313-17"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-HollemanWiberg1313_17-0">↑</a></span> <span class="reference-text"><a href="Arnold_F._Holleman" title="Arnold F. Holleman">A. F. Holleman</a>, <a href="Egon_Wiberg" title="Egon Wiberg">E. Wiberg</a>, <a href="Nils_Wiberg" title="Nils Wiberg">N. Wiberg</a>: <i><a href="Holleman-Wiberg_Lehrbuch_der_Anorganischen_Chemie" title="Holleman-Wiberg Lehrbuch der Anorganischen Chemie">Lehrbuch der Anorganischen Chemie</a>.</i> 101. Auflage. Walter de Gruyter, Berlin 1995, ISBN 3-11-012641-9, S. 1312.<span class="editoronly" style="display:none;"></span></span>

</li>

<li id="cite_note-18"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-18">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.weltderphysik.de/gebiet/technik/nachrichten/2009/supraleitende-chips-reine-zukunftsmusik/"><i>Supraleitende Chips - reine Zukunftsmusik?</i></a> <a href="Welt_der_Physik" title="Welt der Physik">Welt der Physik</a>, 2. Juni 2009,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 13. Juni 2025</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=Supraleitende+Chips+-+reine+Zukunftsmusik%3F&rft.description=Supraleitende+Chips+-+reine+Zukunftsmusik%3F&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.weltderphysik.de%2Fgebiet%2Ftechnik%2Fnachrichten%2F2009%2Fsupraleitende-chips-reine-zukunftsmusik%2F&rft.publisher=%5B%5BWelt+der+Physik%5D%5D&rft.date=2009-06-02"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-19"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-19">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://web.archive.org/web/20081121100742/http://www.triumf.info/public/news/newsletter/V3N2/Muons.htm"><i>Muons in Magnetic Semiconductors.</i></a> Triumf.info, archiviert vom <style data-mw-deduplicate="TemplateStyles:r250917974">

/* start https://de.wikipedia.org/ */

.mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a{background-position:center right!important;background-repeat:no-repeat!important}body.skin-minerva .mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a{background-image:url("./_mw_/OOjs_UI_icon_external-link-ltr-progressive.svg")!important;background-size:10px!important;padding-right:13px!important}body.skin-timeless .mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a,body.skin-monobook .mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a{background-image:url("./_mw_/MediaWiki_external_link_icon.svg")!important;padding-right:13px!important}body.skin-vector .mw-parser-output .dewiki-iconexternal>a{background-image:url("./_mw_/Link.ernal-small-ltr-progressive.svg")!important;background-size:0.857em!important;padding-right:1em!important}

/* end https://de.wikipedia.org/ */

</style><span class="dewiki-iconexternal"><a class="external text" href="https://redirecter.toolforge.org/?url=http%3A%2F%2Fwww.triumf.info%2Fpublic%2Fnews%2Fnewsletter%2FV3N2%2FMuons.htm">Original</a></span> (nicht mehr online verfügbar) am <span style="white-space:nowrap;">21. November 2008</span><span>;</span><span class="Abrufdatum"> abgerufen am 19. September 2010</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=Muons+in+Magnetic+Semiconductors&rft.description=Muons+in+Magnetic+Semiconductors&rft.identifier=https%3A%2F%2Fweb.archive.org%2Fweb%2F20081121100742%2Fhttp%3A%2F%2Fwww.triumf.info%2Fpublic%2Fnews%2Fnewsletter%2FV3N2%2FMuons.htm&rft.publisher=Triumf.info&rft.source=http://www.triumf.info/public/news/newsletter/V3N2/Muons.htm"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-ohno_(gamn)as_1996-20"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-ohno_(gamn)as_1996_20-0">↑</a></span> <span class="reference-text">H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye: <cite style="font-style:italic">(Ga,Mn)As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs</cite>. In: <cite style="font-style:italic">Applied Physics Letters</cite>. <span style="white-space:nowrap">Band<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>69</span>, <span style="white-space:nowrap">Nr.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>3</span>, 15. Juli 1996, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>363–365</span>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1063/1.118061">10.1063/1.118061</a></span>, <a href="Bibcode" title="Bibcode">bibcode</a>:<a rel="nofollow" class="external text" href="https://ui.adsabs.harvard.edu/abs/1996ApPhL..69..363O">1996ApPhL..69..363O</a>.<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Ajournal&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.atitle=%28Ga%2CMn%29As%3A+A+new+diluted+magnetic+semiconductor+based+on+GaAs&rft.au=H.+Ohno%2C+A.+Shen%2C+F.+Matsukura%2C+...&rft.date=1996-07-15&rft.doi=10.1063%2F1.118061&rft.genre=journal&rft.issue=3&rft.jtitle=Applied+Physics+Letters&rft.pages=363-365&rft.volume=69" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-21"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-21">↑</a></span> <span class="reference-text">C. K. Chiang u. a.: <i>Electrical Conductivity in Doped Polyacetylene.</i> In: <i><a href="Physical_Review" title="Physical Review">Physical Review Letters</a></i> 39, 1977, S. 1098–1101.</span>

</li>

<li id="cite_note-22"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-22">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.wsts.org/76/Recent-News-Release"><i>Recent News Release.</i></a> World Semiconductor Trade Statistics (WSTS), 29. November 2022,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 3. Dezember 2022</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=Recent+News+Release&rft.description=Recent+News+Release&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.wsts.org%2F76%2FRecent-News-Release&rft.publisher=World+Semiconductor+Trade+Statistics+%28WSTS%29&rft.date=2022-11-29&rft.language=en"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-23"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-23">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">J. Robert Lineback: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.eetimes.com/wsts-slightly-more-bullish-than-sia-on-2000-growth"><i>WSTS slightly more bullish than SIA on 2000 growth.</i></a> In: <i><a href="EE_Times" title="EE Times">EE Times</a>.</i> 11. September 2000,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 3. Dezember 2022</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=WSTS+slightly+more+bullish+than+SIA+on+2000+growth&rft.description=WSTS+slightly+more+bullish+than+SIA+on+2000+growth&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.eetimes.com%2Fwsts-slightly-more-bullish-than-sia-on-2000-growth&rft.creator=J.+Robert+Lineback&rft.date=2000-09-11&rft.language=en"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-24"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-24">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Ondrej Burkacky, Julia Dragon, Nikolaus Lehmann: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.mckinsey.com/industries/semiconductors/our-insights/the-semiconductor-decade-a-trillion-dollar-industry"><i>The semiconductor decade: A trillion-dollar industry.</i></a> <a href="McKinsey" class="mw-redirect" title="McKinsey">McKinsey</a>, 1. April 2022,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 5. Dezember 2022</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=The+semiconductor+decade%3A+A+trillion-dollar+industry&rft.description=The+semiconductor+decade%3A+A+trillion-dollar+industry&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.mckinsey.com%2Findustries%2Fsemiconductors%2Four-insights%2Fthe-semiconductor-decade-a-trillion-dollar-industry&rft.creator=Ondrej+Burkacky%2C+Julia+Dragon%2C+Nikolaus+Lehmann&rft.publisher=%5B%5BMcKinsey%5D%5D&rft.date=2022-04-01&rft.language=en"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-25"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-25">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Volker Rißka: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.computerbase.de/2017-01/450-mm-wafer/"><i>Forschung & Entwicklung: Riesige 450-mm-Wafer kommen (vorerst) nicht.</i></a> <a href="Computerbase" class="mw-redirect" title="Computerbase">Computerbase</a>, 14. Januar 2017,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 3. Dezember 2022</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=Forschung+%26+Entwicklung%3A+Riesige+450-mm-Wafer+kommen+%28vorerst%29+nicht&rft.description=Forschung+%26+Entwicklung%3A+Riesige+450-mm-Wafer+kommen+%28vorerst%29+nicht&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.computerbase.de%2F2017-01%2F450-mm-wafer%2F&rft.creator=Volker+Ri%C3%9Fka&rft.publisher=%5B%5BComputerbase%5D%5D&rft.date=2017-01-14&rft.language=de"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-26"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-26">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.solarserver.de/2020/12/10/photovoltaik-preise-fuer-polysilizium-werden-fallen/"><i>Photovoltaik: Preise für Polysilizium werden fallen.</i></a> In: <i><a href="Solarserver" title="Solarserver">Solarserver</a>.de.</i> 10. Dezember 2020,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 3. Dezember 2022</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=Photovoltaik%3A+Preise+f%C3%BCr+Polysilizium+werden+fallen&rft.description=Photovoltaik%3A+Preise+f%C3%BCr+Polysilizium+werden+fallen&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.solarserver.de%2F2020%2F12%2F10%2Fphotovoltaik-preise-fuer-polysilizium-werden-fallen%2F&rft.date=2020-12-10&rft.language=de"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-27"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-27">↑</a></span> <span class="reference-text">C.W. Lan: <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">Solar silicon</cite>. In: <cite class="lang" lang="en" dir="auto" style="font-style:italic">Single Crystals of Electronic Materials</cite>. Elsevier, 2019, ISBN 978-0-08-102096-8, <span style="white-space:nowrap">S.<span style="display:inline-block;width:.2em"> </span>57–87</span>, <a href="Digital_Object_Identifier" title="Digital Object Identifier">doi</a>:<span class="uri-handle" style="white-space:nowrap"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://doi.org/10.1016/b978-0-08-102096-8.00003-3">10.1016/b978-0-08-102096-8.00003-3</a></span> (englisch, <a rel="nofollow" class="external text" href="https://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/B9780081020968000033">elsevier.com</a> [abgerufen am 7. Dezember 2022]).<span class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Abook&rfr_id=info:sid/de.wikipedia.org:Halbleiter&rft.atitle=Solar+silicon&rft.au=C.W.+Lan&rft.btitle=Single+Crystals+of+Electronic+Materials&rft.date=2019&rft.doi=10.1016%2Fb978-0-08-102096-8.00003-3&rft.genre=book&rft.isbn=9780081020968&rft.pages=57-87&rft.pub=Elsevier" style="display:none"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-28"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-28">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.bernreuter.com/polysilicon/price-trend/"><i>Polysilicon Price: Chart, Forecast, History.</i></a> Bernreuter Research, 30. November 2022,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 3. Dezember 2022</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=Polysilicon+Price%3A+Chart%2C+Forecast%2C+History&rft.description=Polysilicon+Price%3A+Chart%2C+Forecast%2C+History&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.bernreuter.com%2Fpolysilicon%2Fprice-trend%2F&rft.publisher=Bernreuter+Research&rft.date=2022-11-30&rft.language=en"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-29"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-29">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">vdiv: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.ingenieur.de/technik/fachbereiche/werkstoffe/siliziumproduktion-eine-branche-vertroestet/"><i>Siliziumproduktion: Eine Branche vertröstet sich.</i></a> In: <i>ingenieur.de.</i> VDI Verlag, 23. November 2012,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 3. Dezember 2022</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=Siliziumproduktion%3A+Eine+Branche+vertr%C3%B6stet+sich&rft.description=Siliziumproduktion%3A+Eine+Branche+vertr%C3%B6stet+sich&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.ingenieur.de%2Ftechnik%2Ffachbereiche%2Fwerkstoffe%2Fsiliziumproduktion-eine-branche-vertroestet%2F&rft.creator=vdiv&rft.publisher=VDI+Verlag&rft.date=2012-11-23&rft.language=de"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-30"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-30">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite">Sara Fall, Harrison Dreves: <a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.nrel.gov/news/program/2022/nrel-tracks-pv-and-energy-storage-prices-in-volatile-market.html"><i>NREL Tracks PV and Energy Storage Prices in Volatile Market.</i></a> <a href="National_Renewable_Energy_Laboratory" title="National Renewable Energy Laboratory">National Renewable Energy Laboratory</a> (NREL), 30. November 2022,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 20. Dezember 2022</span> (englisch).</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=NREL+Tracks+PV+and+Energy+Storage+Prices+in+Volatile+Market&rft.description=NREL+Tracks+PV+and+Energy+Storage+Prices+in+Volatile+Market&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.nrel.gov%2Fnews%2Fprogram%2F2022%2Fnrel-tracks-pv-and-energy-storage-prices-in-volatile-market.html&rft.creator=Sara+Fall%2C+Harrison+Dreves&rft.publisher=%5B%5BNational+Renewable+Energy+Laboratory%5D%5D+%28NREL%29&rft.date=2022-11-30&rft.language=en"> </span></span>

</li>

<li id="cite_note-31"><span class="mw-cite-backlink"><a href="#cite_ref-31">↑</a></span> <span class="reference-text"><span class="cite"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://www.solarwirtschaft.de/presse/marktdaten/"><i>Marktdaten.</i></a> <a href="Bundesverband_Solarwirtschaft" title="Bundesverband Solarwirtschaft">Bundesverband Solarwirtschaft</a>, 28. Januar 2020,<span class="Abrufdatum"> abgerufen am 7. Dezember 2022</span>.</span><span style="display: none;" class="Z3988" title="ctx_ver=Z39.88-2004&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Adc&rfr_id=info%3Asid%2Fde.wikipedia.org%3AHalbleiter&rft.title=Marktdaten&rft.description=Marktdaten&rft.identifier=https%3A%2F%2Fwww.solarwirtschaft.de%2Fpresse%2Fmarktdaten%2F&rft.publisher=%5B%5BBundesverband+Solarwirtschaft%5D%5D&rft.date=2020-01-28&rft.language=de"> </span></span>

</li>

</ol>

<div>

Normdaten (Sachbegriff): <a href="Gemeinsame_Normdatei" title="Gemeinsame Normdatei">GND</a>: <span class="-print"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://d-nb.info/gnd/4022993-2">4022993-2</a></span> | <a href="Library_of_Congress_Control_Number" title="Library of Congress Control Number">LCCN</a>: <span class="-print"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://id.loc.gov/authorities/sh85119903">sh85119903</a></span> | <a href="Web_NDL_Authorities" title="Web NDL Authorities">NDL</a>: <span class="-print"><a rel="nofollow" class="external text" href="https://id.ndl.go.jp/auth/ndlsh/00562913">00562913</a></span> </div>

</div></div></div><div><div class="zim-footer">

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</body></html>